Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей [2] (H01L21)

H01L21              Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L31- H01L49, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C, C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2](90)
H01L21/331 - Транзисторов(3)
H01L21/332 - Тиристоров(3)

Коммутатор твердотельный с гальванической трансформаторной развязкой // 154973
Полезная модель относится к электронной технике, и может быть использована для коммутации токов до 8 А и напряжений до 80 В в блоках питания и силового привода для изделий спецтехники.

Фотошаблон для обработки пластин // 153623
Полезная модель относится к области электронной техники, а именно к конструкциям фотошаблонов, применяемым для фотолитографической обработки полупроводниковых пластин.

Термоэлектрический генератор // 153533
Полезная модель относится к термоэлектрическим генераторам (ТЭГ), преобразующим температурный градиент между его

Термокамера для испытания электронных изделий // 152853
Полезная модель относится к устройствам, используемым в полупроводниковом производстве, и может быть применена для климатических испытаний готовых полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров.

Метки совмещения на полупроводниковой подложке с обратным контрастом для электронной литографии // 152525
Полезная модель относится к технологии электронно-лучевой литографии, в частности к способу прецизионного совмещения экспонируемых топологических элементов с имеющимся на пластине топологическим рисунком.

Устройство для тепловых испытаний радиоэлементов // 149884
Полезная модель относится к области электротехники, а именно контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники и может найти применение при испытании и настройке радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), когда требуется определить влияние изменения (в том числе циклического) температуры отдельного элемента на работу РЭА.

Маска для ионного легирования в пластины карбида кремния // 140712
Полезная модель относится к области электронной техники, а более конкретно - к конструкции масок для планарной технологии изготовления полупроводниковых приборов на основе карбида кремния с использованием процессов ионного легирования.

Мощный быстродействующий ограничительный диод // 140187
Полезная модель относится к области микроэлектроники. .

 // 140036
Полезная модель относится к области микроэлектроники. .

 // 140035
Полезная модель относится к области микроэлектроники. .

Радиационно-стойкая библиотека элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 139164
Полезная модель относится к области к области микроэлектроники. .

Устройство свч плазменной обработки материалов из металла // 136636
Данная полезная модель предназначена для плазменной обработки металлов, характеризующейся высокой производительностью и достижением при работе крайне сверхвысоких температур..

Устройство импульсного лазерного осаждения наноструктурированных материалов // 135638
Полезная модель относится к лазерной технике и технике вакуумного напыления, в частности к устройствам, применяемым для создания наноструктурированных материалов, а именно, для роста пленок, многослойных тонкопленочных структур и синтеза наночастиц полупроводников, диэлектриков, металлов, полимеров и биосовместимых материалов методом импульсного лазерного осаждения.

Твердотельное устройство // 134357
Полезная модель относится к области разработки и производства твердотельных устройств, например полупроводниковых приборов и может быть использована при изготовлении указанных приборов.

Многослойная gaas - эпитаксиальная структура для быстродействующих, высоковольтных, высокотемпературных кристаллов диодов // 132917
Многослойная GaAs - эпитаксиальная структура для быстродействующих, высоковольтных, высокотемпературных кристаллов диодов, которые предназначены для изготовления быстродействующих, высоковольтных, высокотемпературных диодов широкого применения. Технической задачей предложенной полезной модели является создание многослойных эпитаксиальных структур на основе CaAs, обеспечивающих изготовление кристаллов быстродействующих, высоковольтных, высокотемпературных диодов с низким уровнем обратного тока и «резкой» характеристикой лавинного пробоя в рабочем диапазоне температур для использования в преобразовательной технике, импульсных источниках питания и других устройствах быстродействующей электроники..

Микросхема с защитой от обратного проектирования в слое металлизации // 132617
Техническим результатом полезной модели является повышение безопасности устройства посредством исключения искрения при операциях налив/слив легковоспламеняющейся жидкости или сжиженного газа.

Микросхема с защитой от обратного проектирования в материале корпуса (мдф или поликарбонат) // 132616
Техническим результатом микросхемы с защитой от обратного проектирования в материале корпуса (мдф или поликарбонат) является повышение безопасности устройства посредством исключения искрения при операциях налив/слив легковоспламеняющейся жидкости или сжиженного газа.

Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности на основе скрытой метки в топологическом слое // 127512
Техническим результатом работы полезной модели является обеспечение возможности защиты областей топологии кристалла, содержащих конфиденциальные данные от обратного проектирования, путем механического разрушения именно того участка топологии, который содержит конфиденциальную информацию.

Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности в материале корпуса // 111717
Техническим результатом при использовании полезной модели является существенное сужение разброса величины выходного напряжения ДТ при температуре 77 К (U77) и обеспечение стабильности всех ДТ в партии.

Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности // 111716
Техническим результатом при использовании полезной модели является существенное сужение разброса величины выходного напряжения ДТ при температуре 77 К (U77) и обеспечение стабильности всех ДТ в партии.
 
2548447.
Наверх