Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей [2] (H01L21)
H01L21 Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L31- H01L49, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C, C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2](90)
Полезная модель относится к электронной технике, и может быть использована для коммутации токов до 8 А и напряжений до 80 В в блоках питания и силового привода для изделий спецтехники.
Полезная модель относится к области электронной техники, а именно к конструкциям фотошаблонов, применяемым для фотолитографической обработки полупроводниковых пластин.
Полезная модель относится к термоэлектрическим генераторам (ТЭГ), преобразующим температурный градиент между его
Полезная модель относится к устройствам, используемым в полупроводниковом производстве, и может быть применена для климатических испытаний готовых полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров.
Полезная модель относится к технологии электронно-лучевой литографии, в частности к способу прецизионного совмещения экспонируемых топологических элементов с имеющимся на пластине топологическим рисунком.
Полезная модель относится к области электротехники, а именно контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники и может найти применение при испытании и настройке радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), когда требуется определить влияние изменения (в том числе циклического) температуры отдельного элемента на работу РЭА.
Полезная модель относится к области электронной техники, а более конкретно - к конструкции масок для планарной технологии изготовления полупроводниковых приборов на основе карбида кремния с использованием процессов ионного легирования.
Полезная модель относится к области микроэлектроники. .
Полезная модель относится к области микроэлектроники. .
Полезная модель относится к области микроэлектроники. .
Полезная модель относится к области к области микроэлектроники. .
Данная полезная модель предназначена для плазменной обработки металлов, характеризующейся высокой производительностью и достижением при работе крайне сверхвысоких температур..
Полезная модель относится к лазерной технике и технике вакуумного напыления, в частности к устройствам, применяемым для создания наноструктурированных материалов, а именно, для роста пленок, многослойных тонкопленочных структур и синтеза наночастиц полупроводников, диэлектриков, металлов, полимеров и биосовместимых материалов методом импульсного лазерного осаждения.
Полезная модель относится к области разработки и производства твердотельных устройств, например полупроводниковых приборов и может быть использована при изготовлении указанных приборов.
Многослойная GaAs - эпитаксиальная структура для быстродействующих, высоковольтных, высокотемпературных кристаллов диодов, которые предназначены для изготовления быстродействующих, высоковольтных, высокотемпературных диодов широкого применения.
Технической задачей предложенной полезной модели является создание многослойных эпитаксиальных структур на основе CaAs, обеспечивающих изготовление кристаллов быстродействующих, высоковольтных, высокотемпературных диодов с низким уровнем обратного тока и «резкой» характеристикой лавинного пробоя в рабочем диапазоне температур для использования в преобразовательной технике, импульсных источниках питания и других устройствах быстродействующей электроники..
Техническим результатом полезной модели является повышение безопасности устройства посредством исключения искрения при операциях налив/слив легковоспламеняющейся жидкости или сжиженного газа.
Техническим результатом микросхемы с защитой от обратного проектирования в материале корпуса (мдф или поликарбонат) является повышение безопасности устройства посредством исключения искрения при операциях налив/слив легковоспламеняющейся жидкости или сжиженного газа.
Техническим результатом работы полезной модели является обеспечение возможности защиты областей топологии кристалла, содержащих конфиденциальные данные от обратного проектирования, путем механического разрушения именно того участка топологии, который содержит конфиденциальную информацию.
Техническим результатом при использовании полезной модели является существенное сужение разброса величины выходного напряжения ДТ при температуре 77 К (U77) и обеспечение стабильности всех ДТ в партии.
Техническим результатом при использовании полезной модели является существенное сужение разброса величины выходного напряжения ДТ при температуре 77 К (U77) и обеспечение стабильности всех ДТ в партии.