Выращивание монокристаллов и направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов и очистка материалов зонной плавкой и получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой и монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой и последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой и (C30B)

C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(81)

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);(81)

C30B35 - Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния (однонаправленное разделение эвтектик на составные части C30B3; под защитной жидкостью C30B27)(9)

C30B3 - Однонаправленное разделение эвтектик на составные части(17)

C30B7 - Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей C30B9; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B11; под защитной жидкостью C30B27)(7)

C30B11 - Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу бриджмена-стокбаргера (C30B13, C30B15,C30B17,C30B19 имеют преимущество; под защитной жидкостью C30B27)(6)

C30B13 - Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой (C30B17 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела C30B15; под защитной жидкостью C30B27; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой C30B28; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов)(2)

C30B15 - Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу чохральского (под защитной жидкостью C30B27)(28)

C30B17 - Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу накена-киропулоса (C30B15 имеет преимущество)(1)

C30B23 - Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала(6)

C30B25 - Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы(3)

C30B27 - Выращивание монокристаллов под защитной жидкостью(1)

C30B28 - Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой(8)

C30B29 - Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой (сплавы C22C)(27)

C30B30 - Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий(6)

C30B31 - Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей(1)

C30B33 - Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B31 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D5)(2)

C30B35 - Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой(9)

Формообразователь для выращивания из расплава тугоплавких соединений кристаллов эллиптической формы // 154654

Полезная модель относится к области выращивания из расплава профилированных кристаллов тугоплавких соединений, например, лейкосапфира, рубина, алюмоиттриевого граната и других тугоплавких соединений, по способу Степанова, эллиптической формы, которые могут быть использованы в лазерной технике, приборостроении, машиностроении.

Устройство для проведения реакций методом встречной диффузии реагентов // 154303

Технический результат расширение функциональных возможностей за счет контактирования и вступления в реакцию большего числа реагентов без перенастройки устройства, а также обеспечение разборности конструкции.

Установка для выращивания профилированных кристаллов из раствора // 153519

Тигель для выращивания кристаллов высоколетучих материалов // 153101

Полезная модель относится к оборудованию, используемому в технологии выращивания кристаллов неорганических соединений из расплава методом вертикальной направленной кристаллизации, в частности фторидных кристаллов, которые широко используются, например, в электронно-оптических приборах.

Магнитофотонный кристалл // 150132

Полезная модель относится к области производства кристаллов и может быть использована для управления когерентными потоками света в оптоэлектронных и магнитофотонных приборах, системах отображения, хранения и передачи информации.

Одномерный магнитофотонный кристалл // 150131

Полезная модель относится к оптической обработке информации и может быть использована для управления когерентными потоками света в оптоэлектронных и магнитофотонных приборах, системах отображения, хранения и передачи информации.

Плазмонный магнитофотонный кристалл // 150130

Магнитофотонный кристалл микрорезонаторного типа // 150129

Фотовольтаическая ячейка // 150125

Полезная модель относится к области производства фотоэлектрических систем преобразования солнечной энергии в электрическую и может быть использована для изготовления солнечных активных элементов.

Магнитофотонный кристалл микрорезонаторного типа // 149920

Установка для выращивания кристаллов из расплава // 142229

Устройство для исследования гетерофазных равновесий и выращивания монокристаллов // 138742

Технический результат непрерывный визуальный контроль давления паров внутри замкнутого объема. .

Устройство для выращивания кристаллов из расплава // 136043

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава методом чохральского // 135650

Полезная модель относится к устройству для выращивания монокристаллов из расплава методом Чохральского, в частности, к устройству для выращивания монокристаллов германия.

Тигель для выращивания кристаллов // 135321

Многокапиллярный формообразователь // 132806

Полезная модель относится к области выращивания из расплава профилированных кристаллов тугоплавких соединений, например, лейкосапфира, рубина, алюмоиттриевого граната и других тугоплавких соединений, по способу Степанова, которые могут быть использованы в приборостроении, машиностроении, химической промышленности..

Реактор для изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности // 130996

Устройство управления температурным полем при выращивании монокристаллов // 128618

Система низкотемпературной конденсации парогазовой смеси // 126617

Устройство для термодиффузионного нанесения кристаллической цинковой пленки на металлические изделия // 126330

Установка для разделения и подготовки хлористого водорода и хлорсиланов технологической линии производства поликристаллического кремния // 126325

Держатель прутков-подложек установки для осаждения поликристаллического кремния // 125200

Устройство для получения монокристаллов // 124264

Установка для выращивания монокристаллов сложных оксидных соединений из раствора-расплава на затравку // 123011

Установка для выращивания кристаллов // 120658

Устройство для выращивания кристаллов // 120104

Устройство для получения монокристаллических волокон из тугоплавких материалов // 120103

Установка для получения порошкообразного нитрида алюминия высокой чистоты // 117153

Полезная модель относится к устройствам для получения полупроводниковых материалов, а именно порошкового нитрида алюминия для использования в производстве металлокерамических, керамических, композиционных и др.

Устройство для получения поликристаллического кремния // 115361

Изобретение относится к производству поликристаллического кремния (ПК) и касается устройства для конверсии тетрахлорида кремния в ПК и его вывода из реакционной зоны с целью получения фотогальванических преобразователей энергии.

Установка, печь и нагреватель печи для изготовления композиционного оптического материала селенид цинка/сульфид цинка // 111140

Реактор для получения стержней поликристаллического кремния // 106894

Изобретение относится к устройствам, специально предназначенным для выращивания стержней поликристаллического кремния, а именно для выращивания стержней поликристаллического кремния, преимущественно путем осаждения из газовой фазы на подогреваемые стержневые подложки (основы).