Приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения aiiibv с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками (H01L21/18)

H01 Основные элементы электрического оборудования(4684)

H01L21/18 Приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения a_iiib_v с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками(7)

Быстродействующий, высоковольтный, algaas/gaas-гетероструктурный p-n-p-транзистор // 133349

Многослойная gaas - эпитаксиальная структура для быстродействующих, высоковольтных, высокотемпературных кристаллов диодов // 132917

Многослойная GaAs - эпитаксиальная структура для быстродействующих, высоковольтных, высокотемпературных кристаллов диодов, которые предназначены для изготовления быстродействующих, высоковольтных, высокотемпературных диодов широкого применения. Технической задачей предложенной полезной модели является создание многослойных эпитаксиальных структур на основе CaAs, обеспечивающих изготовление кристаллов быстродействующих, высоковольтных, высокотемпературных диодов с низким уровнем обратного тока и «резкой» характеристикой лавинного пробоя в рабочем диапазоне температур для использования в преобразовательной технике, импульсных источниках питания и других устройствах быстродействующей электроники..

Ультрабыстрый, высокоэнергетичный, мощный, высоковольтный, высокотемпературный диод в плоских металлокерамических корпусах // 102277

Ультрабыстрый, высокоэнергетичный, мощный, высоковольтный, высокотемпературный диод в металлокерамических корпусах для поверхностного монтажа // 102276

Ультрабыстрый, высокоэнергетичный, мощный, высоковольтный, высокотемпературный диод в металлокерамических, металлостеклянных корпусах // 102275

Ультрабыстрый, высокоэнергетичный, мощный, высоковольтный, высокотемпературный диод в металлокерамических планарных малоиндуктивных беспроволочных корпусах // 102274

Ультрабыстрый, высокоэнергетичный, мощный, высоковольтный диод в металлопластмассовых корпусах // 102273

2548464.