Устройство СВЧ плазменной обработки пластин, содержащее волноводный тракт, огибающий боковую стенку реакционной камеры, через центр широкой стенки которого перпендикулярно к ней проходит несколько разрядных трубок, а в местах их входа и выхода из волноводного тракта накладывается магнитное поле для создания условий электронного циклотронного резонанса, отличающееся тем, что волноводный тракт выполняют кольцевым и располагают на боковой стенке реакционной камеры так, что разрядные трубки размещаются в одной плоскости, параллельной обрабатываемой пластине, а над обрабатываемой пластиной вне реакционной камеры на ее крышке, выполненной из прозрачного для СВЧ материала, располагают плоскую двухзаходную спиральную СВЧ антенну, под обрабатываемой пластиной, для ее нагрева размещают еще одну плоскую двухзаходную спиральную СВЧ антенну.
