Изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей и изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей (H01L21/70)

H01L21/70              Изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей (изготовление блоков, состоящих из предварительно изготовленных электрических элементов, H05K3,H05K13)(8)

Микросхема с защитой от обратного проектирования в слое металлизации // 132617
Техническим результатом полезной модели является повышение безопасности устройства посредством исключения искрения при операциях налив/слив легковоспламеняющейся жидкости или сжиженного газа.

Микросхема с защитой от обратного проектирования в материале корпуса (мдф или поликарбонат) // 132616
Техническим результатом микросхемы с защитой от обратного проектирования в материале корпуса (мдф или поликарбонат) является повышение безопасности устройства посредством исключения искрения при операциях налив/слив легковоспламеняющейся жидкости или сжиженного газа.

Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности на основе скрытой метки в топологическом слое // 127512
Техническим результатом работы полезной модели является обеспечение возможности защиты областей топологии кристалла, содержащих конфиденциальные данные от обратного проектирования, путем механического разрушения именно того участка топологии, который содержит конфиденциальную информацию.

Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности в материале корпуса // 111717
Техническим результатом при использовании полезной модели является существенное сужение разброса величины выходного напряжения ДТ при температуре 77 К (U77) и обеспечение стабильности всех ДТ в партии.

Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности // 111716
Техническим результатом при использовании полезной модели является существенное сужение разброса величины выходного напряжения ДТ при температуре 77 К (U77) и обеспечение стабильности всех ДТ в партии.
 
2548242.
Наверх