Нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание (H01L21/20)

H01 Основные элементы электрического оборудования(4684)

H01L21/20 Нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание(7)

Устройство свч плазменной обработки пластин // 137634

Устройство свч плазменной обработки материалов из металла // 136636

Данная полезная модель предназначена для плазменной обработки металлов, характеризующейся высокой производительностью и достижением при работе крайне сверхвысоких температур..

Высокочастотный реактор для синтеза слоев нитрида алюминия // 131233

Полупроводниковый прибор (варианты) // 126509

Устройство для получения эпитаксиальных слоев нитрида алюминия на карбидокремниевой подложке // 95899

Высокочастотный реактор для синтеза нитрида алюминия // 92241

Устройство для электронного нагрева объектов // 63120

2548952.