Элемент памяти

 

Всег.- -,-: "я

О П -""%- "-Н-"-И- Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2629 72

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Р

Заявлено 08.Ч1.1968 (№ 1246845/18-24) с присоединением заявки №

Кл. 21а>, 37/04

Комитет ло делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК G 11с

УДК 681.327.66 (088.8) Приоритет

Опубликовано 04.11.1970. Бюллетень ¹ 7

Дата опубликования описания 2Х1.1970

Авторы изобретения

А. М. Райторовский и Л. В. Ефремова

Заявитель

ЭЛ ЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к области электронно-вычислительной техники, а именно к области запоминающих устройств цифровых вычислительных машин.

Известны элементы памяти на цилиндрической тонкой магнитной пленке, в которых в качестве подложки для нанесения тонкой пленки используется полая стеклянная трубка или тонкая проволока из проводящего материала.

Недостатком известных устройств является малая амплитуда сигнала с пленочного элемента.

Описываемый элемент памяти отличается от известных тем, что в нем провод записи— считывания последовательно соединен с магнитной пленкой так, что сигналы, индуцированные при считывании в проводе и пленке, суммируются. Это дает возможность увеличить амплитуду выходного сигнала н уменьшить ток записи.

Устройство показано на чертеже, где I— числовой провод; 2 — провод, соединяющий конец внутрен него проводника с началом тонкой магнитной пленки; 3 — пермаллоевая пленка; 4 †диэлектр; 5 †внутренн проводни,к.

Амплитуда считываемого сигнала описываемого элемента вдвое превышает амплитуду сигнала обычного элемента, где в качестве провода считывания — записи используется только внутренний проводник.

Применение данного элемента памяти в накопителях большого объема ограничивается увеличением времени распространения сигнала н характеристического импеданса разрядной линии. Сопротивление пермаллоевой пленки в несколько раз превышает сопротивление медного провода. Однако сопротивление плен10 ки может быть значительно снижено увеличением ее толщины или толщины металлического подслоя. Таким образом. применение предложенного элемента памяти в накопителях среднего и малого объема весьма целесо15 образно, так как значительно улучшает параметры ЗУ.

Предмет изобретения

Элемент памяти на тонкой магнитной пленке, нанесенной на поверхность диэлектрической цилиндрической подложки с проходящим внутри нее проводом записи — считывания, от.тичаюи,ийся тем, что, с целью увеличения выходного сигнала и уменьшения тока запис|, провод записи — считывания последовательно соединен с магнитной пленкой так, что сигналы, индуцированные прн считывании в прово30 де и пленке, суммируются.

262972

Составитель В. Г. Страхов

Редактор А. В. Корнеев Техред А. А, Камышникова Корректоры: 3. Полетаева и А. Николаева

Заказ 13277! Тираж 500 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, К-35, Раушская паб., д. 4,5

Типография, пр. Сапунова, 2

Элемент памяти Элемент памяти 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах
Наверх