Способ изготовления тонкопленочных элементовпамяти

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

"с

- о осего

244398

О П ИСАЙИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ ооюа Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 01.111.1968 (№ 1223238/18-24) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 28Х.1969. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания 28.Х.1969

Кл, 21ат, 37/04

МПК Gl lc

УДК 681.327 66 (088 8) йомитет ло делам изобретений н открытий ери Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

С. И. Коняев и Х. И. Кляус

Институт математики СО АН СССР

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

ПАМЯТИ

Известйы способы изготовления тойкопленочных элементов памяти, основанные на вакуумном осаждении пленки металла на диэлектрическую подложку и нанесении верхних металлических электродов.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что на разогретую изолирующую пленку с высоким коэффициентом диффузии в диэлектрик под действием электрического поля наносят пленку металла и пленку диэлектрика, а на последнюю вЂ” тонкий демпфирующий слой аморфного селена и верхние металл ические эл е ктр оды.

Это позволяет хранить информацию при снятом напряжении и снижении потребляемой мощности.

На изолирующую пленку, разогретую до

150 вЂ” 250 С, с высоким коэффициентом диффузии в диэлектрик вакуумным осаждением под действием электрического поля наносятпленку металла (например, Ад, Си и др.) толщио ной 2000 вЂ” 5000 А. Затем на эту подложку осаждают при той же температуре пленку диэлектрика (например, SiO, А120з и др.) толщио ной 200 вЂ” 1000 А, после чего на эти две компонентьт при комнатной температуре наносят тон с) кий демпфирующий слой аморфного селена толщиной 20 вЂ” 40 А и верхние металлические электроды (например, из А1, Ng и др.) толщио

5 ной 5500 вЂ” 7000 А.

Необходимым условием работы тонкопленочного элемента памяти является очень незначительная диффузия в диэлектрик металла второго электрода, работа выхода электрода для

10 диффузанта должна быть выше работы выхода недиффундирующего металлического электрода.

Предмет изобретения

15 Способ изготовления тонкопленочных элементов памяти, основанный на вакуумном осаждении пленки металла на диэлектрическую подложку и нанесении верхних металлических электродов, отличающийся тем, что, 20 с целью снижения потребляемой мощности, на разогретую изолирующую пленку с высоким коэффициентом диффузии в диэлектрик под действием электрического поля наносят пленку металла и пленку диэлектрика, а на послед25 нюю вЂ” тонкий демпфирующий слой аморфного селена и верхние металлические электроды.

Похожие патенты:

Запоминающий элемент // 239386

Устройство для запоминания теплового сигнала // 238607

Устройство для изготовления ферритовых пленочных элементов памяти // 237288

Магнитный накопитель информации // 237202

Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных пленках // 231224

Пленочная магнитная матрица // 221766

Способ контроля однородности цилиндрических тонких феррол\агнитных пленок // 220314

Запоминающая ячейка // 219634

Запоминающее устройство // 219629

Запоминающее устройство // 219628

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)