Способ изготовления пленочных магнитных матриц

Авторы патента:


 

Бееооювысй.

259Б8

ОП И САНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 25.XI.1968 (№ 1285021/18-24) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Кл. 21а1, 37/60

МПК С 11с

УДК 681.327.66 (088.8) Комитет по делам изобретениЯ и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 12.Х!!.1969. Бюллетень № 2 за 1970

Дата опубликования описания 28.IV.1970

Автор изобретения

В. Г. Страхов

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ МАГНИТНЫХ МАТРИЦ

Предмет изобретения

Изобретение относится к области запоминающих устройств цифровых вычислительных машин.

Известны способы изготовления матриц запоминающих устройств на тонких магнитных пленках, использующих охват магнитных пленок управляющими шинами и наличие ферромагнитного материала для замыкания магнитного потока.

К недостаткам известных решений отно"ятся плохой охват управляющими шинами пленочных элементов и сложность технологического .процесса вследствие необходимости заполнять объемный каркас ферромагнитным материалом.

Предложенный способ:позволяет улучшить качество матриц за счет более полного охвата управляющими шинами пленочных элеменгов и упрощения технологического процесса изготовления матриц. Это достигается определенной последовательностью изготовления матриц.

На чертеже показана матрица,:изготовленная по предлагаемому способу. В пластине 1 из ферромагнитного материала, например окоифера, любым из известных способов, например фрезерованием, делают пазы 2 требуемой глубины для размещения цилиндрическчх пленск 3. По рабочей поверхности 4 пластины перпендикулярно к пазам и огибая их, прокладывают управляющие шины 5, которые могут быть изготовлены напылением, электрохимическим осаждением, а также приклейкой фольгированного диэлектрика. Изоляционные слои б могут быть нанесены .поверх шин непосредственно на цилиндрические пленки. В пазы помещают цилиндрические магнитные пленки и пазы закрывают второй пластиной 7.

Последние две операции можно выполнять в

10 обо атном порядке.

С целью увеличения плотности размещения элементов и уменьшения числа соединений вторая пластина может быть из проводящего материала, который будет служить для замы15 кания вихревых токов. С целью уменьшения токов управления вторая пластина может быть из ферромагнитного материала и тогда по ее рабочей поверхности 8 также прокладывают управляющие шины.

1. Способ изготовления пленочных магнитных матриц, выполненных в виде цилиндриче25 ских магнитных пленок, охваченных шинами управления, и ферромагнитных пластин, отяичаюисийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления, уменьшения импеданса управляющих шин и увеличения плотности зо расположения элементов, в пластине вьщолия259158

Составитель В. М. Щеглов

Редактор Э. Н. Шибаева Текред 3. Н. Тараненко Корректор С. А. Кузовенкова

Заказ 903, 9 Тираж 499 Подписно<:

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ют пазы, ортогонально к пазам по рабочим поверхностям платы и пазов прокладывают управляющие шины, в .пазы укладывают магнитные пленки и накрывают их дополнительной пластиной из:проводящего материала, обеспечивающей замыкание вихревых токов.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с .целью уменьшения амплитуды токов управления, дополнительную пластину выполняют из ферромагнитного материала и по ее рабочей поверхности прокладывают управляющие шины.

Способ изготовления пленочных магнитных матриц Способ изготовления пленочных магнитных матриц 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх