Пластина памяти

Авторы патента:

G11C5/02 - Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L 27/108-H01L 27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K 17/00)

G11C11/06 - с одним отверстием, например кольцевых сердечников; пластин с несколькими отверстиями, каждое из которых образует элемент памяти

О П И С А Н И Е 262970

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 04ЛХ.1968 (№ 1267599/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 04.11.1970. Бюллетень № 7

Дата опубликования описания 2Х1.1970

Кл. 21а1, 37/04

Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Совете Мииистров

СССР

МПК G 11с

УДК 681.327.66(088.8) ПЛАСТИНА ПАМЯТИ

Предмет изобретения

Изобретение относится к области запоми,нающих устройств.

Известен пленочный ферритовый интегральный элемент .памяти, содержащий подложку с .нанесенной на ней ферритовой пленкой.

Недостаток такого элемента памяти состоит в том, что в них форма как статической, так и динамической петли гистерезиса имеет плохую прямоугольность, вследствие чего возникают большие помехи. Подложка ферритовых пленочных элементов памяти выполняет конструктивную роль или функции токоведущих шин.

В предложенном устройстве с целью;значительного улучшения формы петли гистерезиса и снижения величины помехи,при считывании информации ферритовая пленка нанесена на подложку, вьгполненную из .пьезокерамики с двумя электродами на противоположных торцах, а в подложке и пленке проделаны отверстия.

При воздействии внешних сжимающих механических напряжений на ферриты магниймарганцевой системы их магнитные свойства изменяются: форма петли гистерезиса становится более прямоугольной, т. е. увеличиваются коэффициенты квадратности и прямоугольности, коэрцитивная сила несколько уменьшается. Для создания сжимающих внешних напряжений в момент считывания информации с пластины, памяти используется пьезоэффект.

На чертеже показана пластина памяти.

Ферритовая пленка 1 осаждена на выполненную из пьезокерамики подложку 2 (например, ЦТС-19, КНБС-47/53 и др.), на боковой поверхности .которой нанесены электроды

8. Система подложка вЂ” пленка имеет группу отверстий, через которые проходят электрические,проводники (на чертеже не показаны).

На электроды 3 подается постоянное или перемененное напряжение синхрон но ic импульсом записи вЂ” считывания и, вследствие пьезоэффекта, механические напряжения, связанные с изменением расстояния между электродами, передаются на пленку. Таким образом, ферритовые пленочные элементы находятся под постоя иным либо под переменным механическим .напряжением, что улучшает магнит20 ные характеристики ячеек .памяти.

Пластина памяти, содержащая подложку с

25 нанесенной .на ней ферритовой пленкой, отличающаяся тем, что, с целью улучшения .параметров ячеек памяти, подложка выполнена из пьезокерамики с двумя электродами на противоположных торцах, а в подложке и пленке ч0 проделаны отверстия.

262970

Составитель А. А. Соколов

Редактор А. В. Корнеев Техред А. А. Камышникова Корректор Н. С. Сударенкова

Заказ 1320/12 Тираж 500 Подписное

ЦНИИПИ Комитета пд делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Я-З5, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2