Способ изготовления пленочных магнитныхматриц

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

251713

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Саюэ Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 02.1Ч.1968 (№ 1230118/18-24) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 10.1Х.1969. Бюллетень ¹ 28

Дата опубликования описания 10.II.1970

Кл. 21g, 31/02

21а1 37/04

Комитет по делам иэобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК б 11с

Н 03k

УДК 687.327.66(088.8) Авторы изобретения В. А. Теряев, И. Б. Шестаков, Г. Н. Переплетчиков, В. Н. Марковский, Г. П. Ивашкин и М. М. Марьяновский

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ МАГНИТНЫХ

МАТРИЦ

Предложенный:способ может быть применен при изготовлении пленочных магнитных матриц (ПММ) для быстродействующих запомин а ющих устройств.

Известны способы изготовления ПММ, заключающиеся,в том, что,на подложку (основание) осаждается магнитный материал в виде отдельных элементов, на которые наносится система управляющих шин (обмоток). Причем управляющие шины (обмотки) могут быть выполнены либо на гибком фольгированном диэлектрике, либо наносятся непосредственно на матрицу методом вакуумного напыления с последующим фотолитографическим растравливанием проводникового слоя или иным методом (электронным лучом, лучом лазера, электроэрозионным методом) .

Однако при наложении управляющих шин (обмоток) на гибком фольгированном диэлектрике на матрицу необходимо точно совмещать их с магнитными элементами, но при малых размерах магнитных элементов такая операция трудоемка, а точность совмещения недостаточна.

При нанесении управляющих шин (обмоток) непосредственно на магнитные элементы можно получить только одну систему управляющих шин (например, шин считывания). Получить (всю систему управляющих шин (обмоток) считывания, записи и съема вакуумными методам и невозможно.

Это обусловлено тем, что для получения малого омического сопротивления управляющих шин (обмоток),необходимо получить проводники шин (обмоток) достаточно большой тол5 щины (до 10-:15 л км). В результате провод,ники образуют перепад по толщине высотой в 10 вЂ”:15 мклт.

При вакуумном осаждении последу.ющих изоляционных слоев получить надежное сцеп10 ление последних с нижележащими на подложке невозможно из-за,напряжений в местах перепадов по высоте.

Согласно предложенному способу, проводящие слои получают путем приклеивания фоль15 ги с помощью органических лаков (клеев) при нагревании матриц и в присутствии магнитного поля в плоскости подложки.

Это позволяет отказаться от накладного шлейфа на гибком диэлектрическом основа20 нии, обеспечивает точность совмещения шин (обмоток) с магнитными элементами и получение всех управляющих шин (обмоток) с ма;IbDI омическим сопротивлением и высокоомным изоляционным слоем (не менее 50 мгом).

Способ поясняется чертежом, где обозначено: 1 вЂ” подложка, 2 вЂ” диэлектрический подслой, 8 вЂ” магнитный слой (0,05 лгм) и 4 вЂ” проводящий слой. з0 Сущность способа заключается в следующем, 251713

- Р!+ 05мм

1Ькн

Составитель В. Страхов

Техред 3. Н. Тараненко Корректор А. С. Колабнн

Редактор Л. А. Утехина

Заказ 121/1О Тираж 480 Подписное

ЦНИИП11 Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография пр. Сапунова, 2

На подложку (основание) с магнитными элементами, полученными тем или иным методом,,например фотолитопрафическим травлением или осаждением,в вакууме через трафарет (маску), наносится слой органического лака или;клея (например,,клея БФ-4), На слой лака (клея) накладывается заготовка из медной фольги. Подложка с наложенной фольгой помещается под пресс, где под давлением при температуре, необходимой для полимеризации, происходит склеивание в магнитном поле.

Применение магнитного поля, приложенного в плоскости подложки при склеивании под давлением, позволяет сохранить магнитные параметры пленок при нагреве в момент полимеризации. При этом величина напряженности магнитного поля может изменяться от нуля до нескольких десятков эрстед,в зависимости от температуры нагрева. Затем:методом фотолитографии (или электронным лучом, лучом лазера и др.) фольга растравливается на шины (обмотки) той или иной конфигурации. Точность совмещения управляющих шин (обмоток) с магнитными элементами обеспечивает специальное приспособление.

Аналогично могут быть получены все управляющие шины (обмотки) любой конфигурации, необходимые для работы ППМ и модулей накопителя |в ЗУ.

Предложенный способ обеспечивает получение многослойных матриц с шинами (обмотками) толщиной порядка 10 мкм.

1О

Предмет изобретения

Способ изготовления пленочных магнитных матриц с управляющими шинами путем последовательного получения на подложке магнитных, диэлектрических и проводящих слоев и травления проводящих слоев на управляющие шины, отличающийся тем, что, с целью уменьшения омического сопротивления управляющих,шин и сохранения магнитных свойств матриц, проводящие слои получают путем приклеивания фольги с помощью органических лаков (клеев) при нагревании матриц и,в присутствии магнитного поля в плоскости подложки.

Похожие патенты:

Ля библиотека // 251007

Способ изготовления ферритовых пленочиых элементов памяти // 245179

Способ изготовления тонкопленочных элементовпамяти // 244398

Запоминающий элемент // 239386

Устройство для запоминания теплового сигнала // 238607

Устройство для изготовления ферритовых пленочных элементов памяти // 237288

Магнитный накопитель информации // 237202

Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных пленках // 231224

Пленочная магнитная матрица // 221766

Способ контроля однородности цилиндрических тонких феррол\агнитных пленок // 220314

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)