Запоминающий элемент

- 0 0 R i: т(П„ i 0 и д

«, ОЛИр 1,<-, ОПИСАНИЕ

ИЗОЬРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

239386

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства ¹

Заявлено 01.11.1967 (№ 1131777/18-24) с гр иоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 18.111.1969. Бюллетень ¹ 11

Дата опубликования описания 24Х11.1969

l(,l. 21ат, 37/04,ЧПК 6 1lc

УДК 681.327.66 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Автор изобретения

Д. В. Цветков

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известеч запоминающий элемент со .считыванием и нфорх(яции без разрушения, .содержащий две идентичные магнитные пленки, пленку считыва-(ия и пленку хранения информации, нанесенчые на диэлектрические или металлические подложки, с шинами считыва ни51, записи и сигнала, размещенными между пленками и отделенными от пленок одинаковыми диэлектрическими слоями. Принципиальной особенностью данного элемента является использование магнитных полей, создаваемых вихревыми токами в металлической подложке, что делает весьма жесткими требования, предъявляемые к амплитудах(и длительностям токов управления магHHTHûì состоянием элемента. Предлагаемый запоминающий элемент отличается тем, что он содержит дополнительный диэлектрический слой, отделяющий шину считывания от пленки хранения информации. При согласозании шины считывания с помощью резистора на дальнем от генератора конце шины ложно перераспределит(. токи возврата, протекающие в проводящих подложках так (м образом, что магнитное поле в пленке считывания становится больше магнитного поля в пленке хранения информации.

Ссответствующим выбором толщин диэлектрических слоев мож но в достаточно широких пределах изменять величины магнитных полей и получать такое распределение, полей, при котором в момент подачи импульса считывания вектор намагниченности,в пленке считыва5 ния полностью позора швается в направлен((с оси трудного намаг.(ичивания, в то время как вектор намагнп (eHHocTH пленки хранения информации продолжает сохранять пнформацшо, записанную в данном элементе.

10 Иа фиг. 1 изображена конструкция предлагаемого запоминающего элеменга; на фиг, 2 представлены диаграммы распрсделеиия токоз в шине считывания и проводящих подложкàх элемента, а также распределения магнитных

15 полей в пленках считывания и .,ранения информации; »а фиг. 3 — диаграмма работы запоминающего элемента в режимах сч(пыванпя и записи ин форм ации.

Запоминающий элемснт (фиг. 1) содерж((т

20 HpoB035II(lh Io IIO+ (05((1& 1, 113 KoTOph lo HaaoссН3 пленка 2 сч(г(ывания, проводящуlo подложк1:5, на кстору10 нанесена Il lcHåa 4 хранения информац(ш, управляющие шины с гитывания

5;I сигнала 331IHUI 6, отделенные от подло25 жек с пленкамl(диэлектричес(H4111 с,чoямl(Между шиной 5 и пленкой 4 введен дополнительный диэлектрический слой 8, который отделяет также шину 5 от шIIHI,I О. Последние согласованы на дальних 0Т генераторов тока

30 концах с помощью резисторов, сопротивления

239386

КОТОРЫХ PBBH51 ВОЛПОВЫМ COIIIPOTHBЛЕНИЯМ ПОлосковых линий, образуемых шинами.

Гсли расстояние мехкд1: магнитными O,Io:Iми невелико по сравнению с линейными размерами магннтяых пленок, то между пленками существует магнитная связь, стремящаяся удержать вектора намагниченности обенх пле11ок в противофазном состоянии.

Толщина диэлектрического слоя а,, отделяющего шину считывания 5 от подложки 1 с пленкой считывания 2, существенно меньше суммарной толщины а. диэлектрических слоев, отделяющих эту же шину от подложки 8 с пленкой 4, В момент подачи в шину 5 импульса тока считывания 10 (фиг. 2, а) в обеих п одло>иках

1 3 возникнут противополож Io направленные токи возврата 1, !! 12. расположенные

«зеркально» относительно шины 5. Так как шина 5 гальванпчески связана подложками

1 и 3 с .помощью согласующего резистора, то возникшие в указанных подложках вихревые токи не будут растекаться по ним, затухая со временем, а образуют замкнутый контур с шиной 5. Ток 1, будет больше тока 12 2и будет увеличиваться " уменьшением велечины а1, В пределе .при аа — 0 ток 1! будет равен 1а. С уменьшением !1! составляющая Н магнитного поля в точке А, рав ная геометрической сумме составляющих Н„от всех трех токов 1а, I! и 12, будет увеличиваться, а составляющая

Н,, в точке Б будет уменьшаться. Таким образом, изменением положения шины 5 считывания в зазоре между подложками 1 и 8 можно эффективно менять соотношение полей в местах расположения пленки считывания (точКа А) И ПЛЕНКал ХРаНЕНИЯ 1НфОРМаЦИИ (тОЧка Ь).

Работает .запоминающий! элемент следующим образом (фиг. 8).

B исходном состоянии («О» или «1») вектора намагниченности п1LHOIK 2 и 4 параллельны и направлены встречно. Импульс считывания, поданный в шину 5, создаег поле Н„в пленке 2 считывання и меньшее по величине

4 поле Н,„в пленке 4. В результате вектор намагниченности пленки 2 отклоняется на угол у;, а вектор намагниченности 11ленки 4 — на угол уа, причем у! ) у>. После снятия .импульса считывания магнитное поле пленки 4 воз5

25 вращает вектор намагниченности пленки 2 в исходное состояние, чем и достигается неразрушение информации.

Зались новой информации осуществляется подачей импульса записи в шину б записи в момент прекращения действия импульса считывания. При этом возможны два варианта запиc11. .Пр и использован1!и псрВОГО Варианта шина 6 записи смещается ближе к пленке хранения информации. Тогда при подаче импульса записи в месте расположения пленок

2 и 4 возникнут неравные по величине магннтные поля. 1 ак как вектор намагниченности в пленке 2 выведен импульсом считывания в направление, близкое к на правлению ocII трудного намагничивания, то для переключения этой пленки необходимо незначительное

:по величине поле Н,а, . В то же время для надежного переключения пленки 4, вектор намагниченности которой отклонился на угол у =- 90, необходимо большее по величине

4 2

ПО;IЕ ЗаПИСИ Нзап . ВЕЛИЧИНЫ ПОЛЕЙ Нзап И

Наап ОПрЕдЕЛяЮтСя т01KOII, ПОдалаЕМЫМ В ШИну б записи, и геох!ет р ическим расположением шины б в зазоре между проводящими подложками 1 и 8.

Прп использовании второго варианта шина записи располагается симметрично в зазоре между. подложками. Величина тока считывания в момент записи .выбирается такой, чтобы вектора, намагниченности обеих пленок повернулись в направлении оси трудного намагничивания. Тогда небольшое IIo величине поле

ЗаПИСИ Наап ПОДаННОЕ В НаПРаВЛЕНИИ ОСИ легкого намагничивания, уверенно переключит элемент в момент снятия поля считывания.

Предмет изобретения

Запоминающий элемент, содержащий д ве одинаковые магнитные пленки —,пленку хранения информации и пленку сч !тыван1ия, нанесенные,на металлические подложки, с IIIHнами считьпвания и шинами сигнала и записи, отделенными соответственно от пленок считывания и хранения одинаковыми диэлектрическими слоями, отличающийся том, что, с целью повышения надежности работы элемента, он содержит дополнительный диэлектрический слой, отделяющий шину считывания от пленки хранения информации.

239386

7

Ю

/ /

h» Я,. Ил4, 6r 7а)

9Ь/г 3

+c /

Г

Лют r" бЬ Е///а 4

CD ф г. 3 / г

Составитель А. Соколов

Редактор П. Вербова

Техред А. А. Камышникова Корректор Н. В. Дятлова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1675)12 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4