Ля библиотека

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

25IOO7

Со!оз Советских

Социалистических

Реcïóáë5!I(Зависимое от 2ВТ, свидетельства ¹â€”

Кл. 21ат, 37180

Заявлено 08.11.1968 (ЛЪ 1217425118-24) с присоединением заявки МвЂ”,ЧПК G 11с

УДК 681.627.66(08S.S) Приоритет

Оп бликовано 26.3I(111.1969. Б!Оллетень ¹ 27

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете 131инистрав

СССР

Д(!Та опубликоB21!ия опиc !riи51 5.11.1970

Авторы изобретения

Г. М, Родичев и Н. П. Ляховский

Красноярский политехиическ

3 а ти)итсл ь

СПОСОБ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК

И 30 )pCTCIIHC OTIIOCHTC5i I(Области ЛОГII>ICских элемсигов быстродсйс! вуio!)II!x вьгчисли. тел IIhlx машин и систем автоматики.

И 3 в е с т и ьl c I I o c О О ь! и с р е к л 10:! с i !! 51 T o i l! (!! х магнитны.; плс1!(;к из одного устой:ивого сocT0яния B II2Ilравлснии ocli легкого намап(и .:IB211ll5I 13 ДР) ГOC 1 Oil ll!130P СО 1 05П1ИС.

ДЛ 51 IIIIX X(1 P 2 l(TCPII 2 C.×OÆI!2 51 С >С3! Н;1 51 Реализация.

Предложенный с,тособ отл!(чается тем, что

ПОД210Т ИМ:13> ЛЬС )12ГИИТ:lol 0 ПОЛ 51 13;10ЛЬ ОСИ трудного нам агlilln:inànèn, ам плитуда кoT(рого превышает удвоенное поле аиизотропии, а длительность paniia, например, врс,!cни loB0рота x!21I»IT!!0:о момс!1га от оси легкого намапшчивания до Оси трудного намагиичиваИ !15!

Это повышает быстро (сй;1вис способа, уменьшает погреблясму)о мошность и упрощает его с: емную рса iiiзаци.о.

ДЛ Я O CX ЩЕС Т ВЛ Е Н И Я 0 I I I I C I>I 3 2 С М 01 0 С П 0 С О О 2 переключения х!агпитиых плс!(ок вдоль оси трхдиого намагничивания прикладывается импульсное магн1ггпое поле с кругым ф;)оптом (поряд«а 0,5 нсск), ам плиту.!011 в 2,2вЂ”

3 раза большей поля анизотропии 11, При этом магпитиый момс)!т, отклоняясь от первоначальиого положен!1я в на равлснии оси

ЛСГ1 01 О Нам аГНI! 1НВаи!151, ВСЛ(>дСTВilс BI3Lpциo»»nix свойств о дст совершать затухаю(ц 10 колебания около направления ocll трудного

В Ы кл 1О >! 2 я 3 11 р 213 1 51 lo r l IC C мап!итное поле в oilpc jcëcнных фазах ко "(с02 Ниц. м Ожно доо иться ТОГО, ч ГÎ м 2ГП;1ГП1>1 и момент под действием поля анизогр(шии б3дст OTK701!HTI>C5! 1(„IIp3 Гох!3 НапраВЛ Il:I!0 О("! легкого:!амагн10 .Bвания, 2!1(i!!12paл->cëünoic3 исxo;II!0)!x. При использовании управляя!Пц(( импульсов длитслы)остью 0,6 вЂ” 1,2 нс(и спад, 10 3121 нити01 0 !30151 1!policx01!IT 13 T21(011 (1 !3(, 1то маГННГный мохlент тонкой плеики. Нс;)сшедший за направление оси трудного нама;вЂ” ничивания, будет двигаться к B ll:p2131(п:1к оси легкого памагничиваиия, противо:!ело;к1б ному исходному (триггерный эффск! ) .

Прсълагаемый с(!особ перекл10>!сн!(я тонкой пленки обладает рядом преих!уществ по с.)авненшо с известны;I: быстрота сp202TI>11321! II51

) BC>!1IчиВаетСя 1I;1 1>5 вЂ” 2 Ilop51дка> хГх!(i! I !!1(20 ние длительности управл яющсго I» пуль(а (=1 нсек против 100 нсен) и 231илитуды (ЗН, !ротив 16Н,.) ведет к ух!сиьгпсии!О трсбляемой мощности. Вместе с этим упрощается с "ем а, т21 1(2к Нс использ3 Iотся cilc2б циалы10 подбираемые элементы вЂ” ипду!.пп3НОС(Ь, 031 НОСTЬ 11 CопрОTIIВ iсиис. Xi 13с,111 1C!1!io скopocril переклlочения Ведет и > вели Iспии электродви)к) гцс!1 cII1!>I, иид5 ктирусмоп съсх!Нох! витке. В предлагаемом спосоос с30 реключсния необходимо использовать им251007

50 пульсы тока малой длительности и относительно большой амплитуды, а выходные сигналы имеют малую длительность. Формирование таких управляющих импульсов с высокой частотой следования и использование короткого съемного сигнала встретит в настоящее время определенные технические затруднения, в перспективе же эта задача разрешима, а следовательно, предлагаемый способ может найти практическое применение.

Экспериментальная проверка описываемого способа переключения тонкой магнитной пленки была проведена на установке.

Для создания управляющего импульсного магнитного поля была изготовлена,полосковая линия. Нижняя полоска шириной 20 rut составлена из продольных шинок шириной

1,5 лы, вырезанных из фольгированного гетинакса. Толщина медной фольги 0,05 лая.

Верхняя полоска составлена нз 27 медных проволок, диаметром 0,07 .ч.и, равномерно распределенных на расстоянии 19 л л. Полосковая линия была нагружена на,сопротивление 75 ом.

Импульс тока от генератора однократны i импульсов передавался кабелем РК-1 длиной

1,2 м. В качестве коммутирующего элеменпга генератора использовалось коаксиально встроенное ртутное реле. Импульс тока создавался разрядом кабеля РК-1 па полос овую линию ртутным реле через контакты ртуть вЂ” ртуть. Известно, что полученные подобным образом импульсы тока имеют время нарастания меньше 0,5 нсек. Длительность импульса изменяли подбором длины разряжаемого кабеля, В качестве индикатора магнитного состояния тонкой пленки была выбрана установка, работающая на основе магнитооптического эффекта Керра. Световой поток после анализатора поступал на фотоэлектронньш умножитель, на выход которого был включен осциллограф С1-19. Изменение магнитного момента вдоль направления оси легкого намагничивания с помощью данной установки можно измерять с точностью до 5> р При проведении эксперимента были использованы пермаллоевые пленки, полученные термическим испарением в вакууме порядка

5 10 " л л рт. ст. на стеклянные подложки.

Температура подложек при и-парении варьировалась от 100 до 350 С. Диаметр пленок

8 л л, толщина 800 вЂ” 2000 А. Пленки имели угловую дисперсшо от 0,5 до 6 . Все испытанные тонкие магнитные пленки оказалось возможным переключать предлагаемым способом.

В качестве примера на фиг. 1 приведены результаты исследования пермаллоевой пленки, имеющей коэрцитивную силу 96 а/,я, поле анпзотропии 176 а/л, угловую дисперсию

1,5, толщину 1100 А, где показа на зависимость псреключенного магнитного момента от длительности импульса при фиксированном значении амплитуды магнитного поля, равного 540 а, л, приложенного вдоль оси трудного намагничивания. Из фиг. 1 видно, что движение магнитного момента колебательное, полное переключение магнитного момента происходит в двух интервалах длительностей управляющего импульса 0,6вЂ”

1,25 нсск и 2,5 вЂ” 2,7 нсек. Первьш интервал достато шо широк и более удобен для использования.

Па фпг. 2 приведена зависимость переключеннного магнитного момента от амплитуды импульсного магнитного поля, приложенного вдоль оси трудного намагничивания при фиксированной длительности импульса равной

1,25 нсек; при полях (330 вЂ” 530) а!я переключение магнитного момента наиболее устойчивоее.

Из результатов эксперимента видно, что предлагаемый способ переключения тонких магнитных пленок вполне работоспособен и может быть использован при разработке логических устройств для быстродействующих

BhI÷èñëèTåëüíû:ñ машин.

Предмет изобретения

Способ переключения тонких магHHTHhtx пленок из одного устойчивого состояния в направлении оси легкого намагничивания в другое устойчивое состояние, отлича ощийся тем, что, с целью повышения быстродействия, уменьшение погребляемой мощности и упрощсшгя его схемной реализации, подают импульс магнитного поля вдоль оси трудного намагничивания, амплитуда которого превышает удвоенное поле анизотропни, а длительносгь равна, например, времени поворота магнитного момента от оси легкого намагничивания до оси трудного намагничивания.

25!007

t - нсж

Рс г!

egg ay

Фиг. 2

Составитель В. M. Щеглов

Текред Л. К. Малова Корректор В. И, )Колудева

Редактор Б. Нанкина

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 3923,,2 Тираж 480 Подписиое

LIIIIIHHH Комитета по делам изобретений и открытий при Co,зете Министров CCCP

Москва 7К-35, Рауьиская иаб., д. 4,5

Способ изготовления тонкопленочных элементовпамяти // 244398

Запоминающий элемент // 239386

Устройство для запоминания теплового сигнала // 238607

Устройство для изготовления ферритовых пленочных элементов памяти // 237288

Магнитный накопитель информации // 237202

Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных пленках // 231224

Пленочная магнитная матрица // 221766

Способ контроля однородности цилиндрических тонких феррол\агнитных пленок // 220314

Запоминающая ячейка // 219634

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)