Способ изготовления ферритовых пленочиых элементов памяти

Авторы патента:


 

ОПИСАН И Е

ИЗОЬРЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21ат, 37/04

2 I g, 31/02

Заявлено 21.II.1968 (№ 1220015/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 04.V1.1969. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 11.XI.1969

МПК G 11с

Н Old

УДК 681.327.66(088.8) Комитет по лелем изобретений н открытий прн Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Б. Е. Клейман и Я. М. Беккер

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФЕРРИТОВЫХ

ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ

Изобретение относится к области запоминающих устройств и может быть использовано при изготовлении интегральных ферритовых пленочных элементов памяти для запоминающих устройств.

Известен способ изготовления ферритовых пленок с помощью дугового разряда, состоящий в том, что феррит плавят и испаряют с помощью дугового разряда. Катод из ферритовой пластины закрепляют в керамическом держателе, анодом служит молибденовый стержень. Источником постоянного тока, который должен обладать стабильностью не хуже 0,1%, создается дуговой разряд. При этом в ферритовой пластине образуется лунка, в которой содержится испаряющийся расплавленный феррит.

К числу недостатков этого способа следуег отнести неравномерность испарения вследствие колебания тока в дуговом разряде, приводящую к неоднородности пленки; появление примесей; испарение в очень маленькой лунке, а не с поверхности пластины, что ухудшаег свойства пленок, вызывает малую скорость роста и неоднородность пленок.

При предложенном способе все перечисленные недостатки исключены. Способ заключается в том, что источник феррита нагревают до температуры, при которой возрастает электропроводность феррита, например до 300 — 400 С, после чего источник феррита нагревают токами высокой частоты.

Способ поясняется чертежом.

Источник феррита в виде ферритовой пластины 1 нагревают электрическим нагревателем 2 до температуры примерно 300 — 400 С.

При этом электропроводность феррита значительно возрастает. Дальнейший нагрев и испарение производят токами высокой частоты с

10 помощью высокочастотного нагревателя 8. При этом ферритовая пластина равномерно разогревается, и феррит испаряется,на подложку 4, закрепленную держателем 5.

Полученную пленку подвергают последую15 щей термообработке в печи, например при

1000 С в течение l час.

Применение способа испарения феррита за счет увеличения его теплопроводности позволяет повысить скорость испарения с поверхно20 сти всей пластины, увеличить однородность получения пленки, исключает появление примесей и обеспечивает более стационарный рост пленок.

25 Предмет изобретения

Способ изготовления ферритовых пленочных элементов памяти путем испарения феррита на подложку с последующей термообработкой, 30 отлича ощийся тем, что, с целью получения

245179

Составитель А. А. Соколов

Редактор Л. В. Калашникова Техред Т. П. Курилко

Корректоры: М. Коробова и А. Абрамова

Заказ 2679/18 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 однородных магнитных пленок, улучшения их магнитных свойств, повышения скорости испарения и устранения примесей, нагревают источник феррита электрическим нагревателем до температуры, при которой возрастает электропроводность феррита, например до 300—

400 С, и подвергают источник феррита нагреву токами высокой частоты.

Способ изготовления ферритовых пленочиых элементов памяти Способ изготовления ферритовых пленочиых элементов памяти 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх