Запоминающий элемент на моп-транзисторах

Авторы патента:


 

277856

И Е

Союз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОЫ ЕтЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ(СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21а>, 37/54

Заявлено 02.IV.1969 (№ 1328993/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.VI II.1970. Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 4.Х!.1970

МПК б 11с 11/40

УДК 681.327.67(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Автор изобретения

Э. P. Караханян

Московский институт электронного машиностроения

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ НА МОП-ТРАНЗИС10РАХ

Известпы запоминающие элементы на

МОП-транзисторах, содержащие запоминающие и нагрузочные транзисторы.

Недостатками известных запоминающих элементов являются потребление и рассеивание значительной энергии во время хранения информации.

Предлагаемый запоминающий элемент отличается тем, что между затвором и стоком каждого нагрузочного транзистора включен конденсатор. Это позволяет уменьшить рассеиваемую энергию во время хранения информации.

На чертеже изображена схема запоминающего элемента на МОП-транзисторах.

Запоминающий элемент представляет собой триггерную ячейку. Транзисторы 1 и 2 являются запоминающими, транзисторы 8 и 4— нагрузочными. Между затвором и стоком транзисторов 8 и 4 включены конденсаторы 5 и б. (Реализация конденсаторов 5 и 6 по планарной технологии не требует дополнительных технологических операций и полностью совместима с технологией изготовления структур типа МОП).

Конденсаторы 7 и 8 являются паразитными.

Например, конденсатор 7 образован затвором — и стоком транзистора 1 и переходами истоковой области транзистора 4 и стоковой области транзистора 2. Запоминающий элемент имеет вход 9 для подачи восстанавливающего сигнала. Описываемый элемент не требует постоянного источника питания.

Открытое состояние одного из транзисторов

1 или 2 и закрытое состояние другого поддерживаются за счет наличия или отсутствия заряда на паразитных конденсаторах 7 и 8 благодаря подаче на вход 9 восстанавливающих сигналов медленно нарастающего и медленно

1О спадающего напряжения (цепи записи информации в запоминающий элемент и цепи считывания на чертеже не показаны).

Предположим, что транзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт. Такое состояние запомиу нающего элемента может сохраняться, если паразитный конденсатор 7 заряжен, а паразитный конденсатор 8 разряжен. Если на входе 9 восстанавливающие импульсы отсутствуют, то паразитный конденсатор 7 медленно

20 разряжается током обратно смещенных р— п-переходов, образованных истоковой областью транзистора 4 и стоковой областью транзистора 2.

Чтобы не допустить разряда конденсатора

25 ниже минимально необходимой величины, на вход 9 периодически подаются восстанавливающие импульсы. При этом открывается транзистор 4, и паразитный конденсатор 7 подзаряжается от источника восстанавливающих

30 импульсов через открытый транзистор 4 и кон277858

Составитель В. Ф,. Рудаков

Корректор Л. А. Царькова

Редактор Т. 3. Орловская

Заказ:3187/5 Тираж 480 Подписное ЦНИИПЙ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 денсатор б. Одновременно заряжается и KOHденсатор б, так как замыкается цепь: источник восстанавливающих сигналов, два последовательно соединенных и открытых транзистора 1 и 8, общая шина. Очевидно, что паразитный конденсатор 8 зарядиться не может, так как оказывается зашунтированным открытым транзистором 1.

Таким образом, при периодической подаче восстанавливающих сигналов на вход 9 запоминающий элемент сохраняет свое состояние — записанную на него двоичную информацию.

Предмет изобретения

5 Запоминающий элемент на МОП-транзисторах, содержащий запоминающие и нагрузочные транзисторы, отличаюи|ийся тем, что, с целью уменьшения рассеиваемой энергии во время хранения информации, между затвором

10 и стоком каждого нагрузочного транзистора включен конденсатор.

Запоминающий элемент на моп-транзисторах Запоминающий элемент на моп-транзисторах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние
Наверх