Запоминающее устройство

Авторы патента:

М. Т. Костышин, Е. В. Михайловска В. В. Петров , П. Романенко

G11C11/40 - транзисторов

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

258387

Союз Советских

Сопиалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 19.VI!.1968 (№ 1259338(18-24) Кл. 21ат, 37!44 с присоединением заявки «¹

Приоритет

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК б 11с

УДК 681,327.66(088.8) Опубликовано 03.Х1!.1969. Ечоллетень ¹ 1 за 1970

Дата опубликования описания 24.IV,1970

Авторы изобретения М. T. Костышин, Е, В. Михайловская, В. В. Петров и П. Ф. Романенко

Заявитель

Институт кибернетики АН Украинской ССР

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОИСТВО

Предмет изобретения

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности,к запоминающим устройствам цифровых вычислительных маш.ин.

Известно запоминающее устройство, содержащее систему взаимно перпендикулярных шин с расширениями шин в местах их пересечения при записи, кода «1».

Недостатком из|вестного устройства я вляется низкое быстродействие и малая плотность упаковщики из-за наличия взаи много влияния сосeдниx ячеек.

В предложенном устройстве с целью повышения бькстродейств ия и плотности упаковки ,между шинами расположен слой .полупроводникового материала.

На чертеже показано запоминающее устройство.

Оно содержит д ве ячейки памяти 1 ет 2.

Ячейка состоит из взаимно перпендикулярных шин Д и 4 с расширениями 5 в местах их пересечения при за писи кода «1» и без расширений в местах пересечения шин при за писи кода «О» (ячейка 2). Между шинами 8 и 4 расположен слой, полупроводникового материала, который может быть сплошным или нанесен только в местаx пересечения шин.

Запомщнающее устройство, содержащее систему взаим но перпендикулярных шин с расши15 рениями шин в местах их пересечения при запиои кода «1», отличающееся тем, что, с целью повьхшения быстродействия и плотности упаковки, между шинами рааположен слой полупроводникового материала, 288387

Составитель Н. С. Прокофьева

Редактор Л. А. Утехина Текр д Т. П. Курилко Корректор Т. А. Абрамова

Заказ 537 !6 Тираж 499 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Сове".е Министров СССР

Москва 0К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Похожие патенты:

Патент 254564 // 254564

Триггер со счетным входом // 253132

Триггер на униполярных транзисторах // 250997

Триггер со счетным входом // 246580

Динамический триггер // 245176

Патент 245175 // 245175

Запоминающее устройство // 242974

Патент 242966 // 242966

Патент 242964 // 242964

Запоминающее устройство для приборов активного контроля прерывистых поверхностей // 240747

Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Накопитель запоминающего устройства // 2106022

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Цепь усиления напряжения для использования в полупроводниковом запоминающем устройстве // 2138085

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Динамическая ячейка памяти // 2147772

Конструкция ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями // 2156013

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Способ регенерации для динамических запоминающих устройств с произвольным доступом // 2163035

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Устройство полупроводниковой памяти для достижения высокой производительности и способ расположения в нем сигнальных шин // 2170955

Изобретение относится к устройству полупроводниковой памяти

Генератор накачки с изменяемым числом ступеней // 2172525

Изобретение относится к электронной технике

Запоминающая ячейка статического зупв // 2188465

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Схемное устройство с некоторым числом электронных схемных компонентов // 2189082

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние