Ячейка памяти
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
26770I
Col!Is Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 29Л,1969 (№ 1308498/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликогано 02.IU.1970. Бюллетень ¹ 13
Дата опубликования описания 6.VIII.1970
Кл. 21aI, 37!52
МПК G 11с 27/00
УДК 681.327.02 (088.8) Комитет по делам изобретениИ и открытиЯ при Совете Министров
СССР
Авторы изобретения Г. Ф. Васильев, В. И. Сапронов, И. Л. Соловьев и Н. Ф. Козлов
Заявитель
ЯЧЕИКА ПАМЯТИ
Йзобретение относится к интегральным схемам и может найти применение при создании запоминающих блоков электронных счетных машин и других радиоэлектронных устройств.
Известны ячейки памяти, содержащие структуру металл — окись — полупроводник (МОП-структура) с системой электродов для подачи потенциала заданной полярности и» электрод затвора.
Однако они сложны и громоздки.
Описываемая ячейка отличается тем, что в ней электрод затвора содержит металлическую шину, размещенную в зазоре между двумя изолированными электродами управления, а между электродом затвора и электродами управления размещена изоляционная ил асти н а.
Это упрощает конструкцию и уменьшает габариты элемента.
На фиг. 1 и 2 показаны варианты предложенного элемента; на фиг. 3 — его принцип и альн ая схема.
Элемент содержит полупроводник 1, диффузионные области 2, изолирующий слой 8, металлические электроды 4 и б (исток, сток), изолированный металлический электрод б затвора, дополнительные взаимо изолированные металлические электроды 7 и 8 и изолированную пленку 9.
la «pe»l1;IIeIIoI»n1«I 10 частично проходит под дополнительпыми взаы!по изолированными металлическими электродами 7 и 8, от которы.; он изолирован пленкой 9. В устройстве, показанном н» фнг. 2, между электродами 7 и 8 выполнен 15 зазор. Элемент памяти работает следующим образом. Предположим, что в исходном состояшш элемента канал МОП-структуры закрыт. При 2Q подаче на электрод 8 сигнала записи пнфорAIBLIIIII E, 113 элеliTpoiJа 8 H?1 э, !с :.трод i нондет электрическиi! ток, напpllмер aвтоэмиссии, через диэлектрик. В резу льтате электрод затвора получит потенциал, равный по 25 знаку, но меньший на величину падения в пленке 9. По дост!!женин потенциала на электроде б вели шны потенциала порога индуцирования канала в МОП-структуре открывается канал, и на электроде E«Ä, появЗ0 ляется сигнал, 267701 Для перевода элемента в исходное положение на электрод 8 подают сигнал противоположного знака. Пленка 9 может быть как диэлектрической, так и полупроводниковой. В последнем случае контакты электродов 6 — 8 с этой пленкой должны быть не выпрямляющими для сигналов различной полярности. Конструкция пленки 9 может быть иной, например пленка может покрывать только электрод 6. Если электроды расположены как показано на фиг. 2, роль диэлектрического или полупроводникового слоя может выполнять пленка 8 (чисто диэлектрическая или с полупроводниковым покрытием). В последнем случае заряд электрода 6 может быть осуществлен не только током автоэмиссии или фотоэмиссии, как в первом случае, но и током разряда, иницируемым между электродами 7 и 8. В этом случае прибор работает аналогично. При этом обеспечивается хорошая изоляция затвора МОП-транзистора от всех элементов схемы. 5 Предмет изобретения 1. Ячейка памяти, содержащая структуру металл — окись — полупроводник с системой электродов для подачи потенциала заданной 10 полярности на электрод затвора, отличаюи1аяся тем, что, с целью упрощения элемента и уменьшения габаритов, электрод затвора содержит металлическую шину, размещенную в зазоре между двумя изолированными элек15 тродами управления. 2. Ячейка памяти по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью увеличения надежности работы, между электродом затвора и электродами управления размещена изоляционная пластина. 26770i Составитель В. М. Щеглов Редактор Л. A. Утехина Техрсд Л. Я. Левина Корректор С. А. Кузовеикова Заказ 2137)7 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2
