Триггерное устройство

Авторы патента:


 

О П И С А Н И Е 266838

ИЗОЫРИтИ НИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21ат, 36/18

Заявлено 05Л1!.1968 (№ 1225674/18-24) с присоединением заявки №

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК Н 03k

УДК 621.373,544(088.8) Приоритет

Опубликовано 01.IV.1970. Бюллетень № 12

Дата опубликования описания 15Л 11.1970

Жэ.1А 1т

К, М. Пононарев, В. В. Малин, С. Г. Зубачев и П. Л. р4очовр...енб

Те Г! В Ч Ге!! А i

БИЬЛ110ТЕКА

Л вторы изобретения

3 аявитель

ТРИГГЕРНОЕ УСТРОЙСТВО

Предлагаемое изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в запоминающих элементах устройств цифровой вычислительной техники и автоматики.

B запоминающих элементах широко используются транзисторные триггеры с непосредственными связями, так как они просты по конструкции и обладают хорошим быстродействием и надежностью.

Предложенное триггер ное устройство отличается от известных тем, что коллекторы и— р — и-транзисторов соединены через резисторы нагрузки с коллектором р — и — р-транзисторов.

Эти отличия позволяют снизить,потребляемую мощность и уменьшить количество компонентов.

На чертеже изображена схема триггерного устройства.

Один из триггеров содержит и — р — n-транзисторы 1 и 2 и резисторы 8 и 4, другой триггер содержит р — n — р-транзисторы 5 и 6 и те же резисторы 8 и 4. Эмиттеры и — р — n-транзисторов подключаются к отрицательной шине источника, питания, а эмиттеры р — тт — ртранзисторов — к положительной.

Чтобы симметричный транзисторный триггер с непосредственными связями мог обладать устойчивыми статическими состояниями,,питающее напряжение при достаточном коэффициенте усиления транзисторов должно незначительно превышать пороговое напряжение эмиттерного перехода транзисторов. Однако

5 на практике с целью:повышения помехоустойчивости или динамических характеристик триггера питающее напряжение выбирается в 3—

10 раз большим, Увеличение потребляемой мощности составляет при этом величину ЛР, 10 причем AP )) Р, где P — величина потребляемой триггером мощности при минимально необходимом напряжении питания.

В триггерном устройстве триггер с непосредственными связями дополнен парой транзисто15 ров противоположного типа проводимости, образующих еще один функционально независимый триггер, причем оба триггера имеют общие коллекторные резисторы нагрузки.

Для того, чтобы быстродействие и помехоус20 тойчивость первого триггера не ухудшались, напряжение питания необходимо увеличивать на величину порогового:на пряжения эмиттерного перехода второй пары транзисторов. При этом мощность, потребляемая триггерным уст25 ройством, составляет величину 2Р + AP. Мощность, приходящаяся в триггерном устройстве на единицу двоичной информации, может быть

AP оценена как Р+ или составит величину, 2

30 приблизительно в два раза меньшую в сравне266838

Предмет изобретения

Составитель А. Д. Федоров

Редактор Н. Вирко Техред Т, П. Курилко Корректор Н. С. Сударенкова

Заказ 1821/1 Тираж 480 Подписное

ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Coaere Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 нии с обычным триггером, если учитывать неравенство, приведенное выше.

Номиналы резисторов при введении дополнительной пары транзисторов не изменяются, а следовательно, на единицу двоичной информа ции в триггерном устройстве потребуется резисторов в два раза меньше, но их номинальная величина также снижается вдвое.

Подобный принцип построения триггерного устройства возможен и для триггеров с резистивными или резистивно-емкостными связями.

Триггер ное устройство, содержащее два функционально независимых триггера с непосредственными связями на транзисторах разного типа проводимости, orzè÷àþøååñÿ тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и количества компонентов, в нем коллекторы и — р — гг-транзисторов соединены через

10 резисторы нагрузки с коллектором р — гг — ртранзисторов.

Триггерное устройство Триггерное устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние
Наверх