Асесоюзная
О П И С А Н И Е 376735
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
СоВЗ COBHTCKNX
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 02.111.1971 (Ф 1629822/24-7) М. Кл. G Olr 31!26 с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 05.1Ч.1973. Бюллетень № 17
Дата опубликования описания 26.Ч1.1973
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.382.3 (088.8) Авторы изобретения
М. С. Сонин, В. А. Лементуев и И. А. Газарян
Заявитель
Ордена Ленина институт проблем управления (автоматики и телемеханики) СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
СО СТРУКТУРОЙ МЕТАЛЛ вЂ” ДИЭЛЕКТРИК вЂ” ПОЛУПРОВОДНИК
Предмет изобретения
Предлагаемое изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть использовано при изготовлении и испытании полупроводниковых приборов и схем.
Известные способы испытания полупроводниковых приборов со структурой металл — диэлектрик — полупроводник, например транзисторов и интегральных схем, путем одновременного воздействия на них температурой и электрического поля не обладают простотой процесса испытания.
По предлагаемому способу с целью упрощения процесса испытания соединяют накоротко затворы прибора с остальными электродами, затем подвергают приборы воздействию температуры, величину и время выдержки которой выбирают достаточными для перераспределения заряда в диэлектрике и изменения параметров испытуемого прибора под воздействием электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов структуры прибора.
По предлагаемому способу испытания полупроводниковых приборов величина контактной разности потенциалов в системе металл †диэлектрик в полупроводник (МДП) зависит от природы металла и полупроводника. В частности, в системе Аl — Si02 — Si величина контактной разности потенциалов между Аl u Si достигает 0,8 эв.
Если внешним проводником соединить накоротко затвор МДП-прибора с подложкой или(и истоком или стоком и поместить прибор в среду с повышенной температурой, то при достаточно высокой температуре произойдет перераспределение заряда в диэлектрике под действием электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов.
Согласно предлагаемому изобретению спо10 соб испытания МДП приборов заключается в том, что после измерения параметров приборов электроды приборов закорачивают и приборы помещают в среду с повышенной температурой, величина которой достаточна
15 для перераспределения заряда в МДП структуре. После выдержки приборов в течение заданного промежутка времени производится повторный замер параметров приборов.
Способ испытания полупроводниковых приборов со структурой металл — диэлектрик—
2S полупроводник, например транзисторов и интегральных схем, путем одновременного воздействия на них температурой и электрическим полем, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса испытания, соединяют нако30 ротко затворы прибора с остальными электро376735
Составитель В. Волков
Техред T. Курилко
Корректор E. Миронова
Редактор В. Фельдман
Заказ 1778/16 Изд. Хе 421 Тираж 755 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 дами, затем подвергают приборы воздействию температуры, величину и время выдержки которой выбирают достаточными для перераспределения заряда в диэлектрике и изменения параметров испытуемого прибора под воздействием электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов структуры прибора.
