Всгсоюзнаи

 

ОП ИСАНИЕ 37!639

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 08.II.1971 (№ 1623682/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 22.ll.1973. Бюллетень № 12

Дата опубликования описания 17Х.1973

11. Ь;л. Н 01/ 7/68

Комитет оо делам изобретений и открытий ври Совете Министров

СССР

УДЫ, 621.328,002(088.8) Авторы изобретения

° 7

В

В. T. Николаев и М. С. Антоновский

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ СКОРОСТИ РОСТА И ТОЛЩИНЫ

ПЛЕНКИ ПРИ ВАКУУМНОМ ИСПАРЕНИИ

Изобретение относится к технологическому оборудованию и может быть использовано для контроля скорости роста и толщины пленки в процессе вакуумного испарения.

Известные устройства для контроля скорости роста и толщины пленки состоят из кварцевого резонатора, контролирующего скорость роста и определяющего достижение заданной толщины, и заслонки, перекрывающей поток пара при достижении заданной толщины. Для снижения теплового нагрева от окружающих предметов и от испарителя кварцевый резонатор обычно помещают в охлаждаемый экранирующий корпус с отверстием для прохождения потока пара.

Однако известные устройства дают значительную погрешность измерения скорости роста в начальный период нанесения пленки вследствие сдвига частоты резонатора, который происходит под действием теплового удара в момент открытия заслонки.

Такой сдвиг частоты при резком изменении температуры кварцевого резонатора объясняется тем, что динамический температурный коэффициент частот ы больше статического тем пер а тур ного коэфф ициента.

Цель изобретения — повышение точности измерения скорости роста пленки в начальный момент нанесения пленки, Цель достигается тем, что на поверхности заслонки, обращенной к кварцевому резонатору, установлен нагреватель, создающий тепловой поток на резонатор, равный тепловому потоку от испарителя.

Предлагаемое устройство схематически показано на чертеже.

Устройство содержит кварцевый резонатор

1, помещенный в охлаждаемый корпус 2 с отверстием 8, заслонку 4 для перекрытия потока пара, поступающего от испарителя б, и нагре10 ватель 6, закрепленный на поверхности заслонки 4, обращенной к кварцевому резонатору 1.

Устройство работает следующим образом.

Заслонкой 4 перекрывают поток пара, поступающего от испарителя 5, затем включают нагреватель 6, устанавливают необходимую температуру нагревателя 6 в течение времени, необходимого для прогрева резонатора 1. Когда частота резонатора 1 стабилизируется, заслон2р ку открывают, — происходит осаждение испаряемого вещества. 17о достижении заданной толщины пленки заслонка перекрывает поток пара.

Применение нагревателя, установленного на заслонке, позволяет в несколько раз повысить точность измерения скорости роста пленок в начальный момент осаждения. Испытания показали, что при отсутствии нагревателя на заслонке практически невозможно изме3р рять скорость роста пленки на начальном участке (10 — 100 сек), так как погрешность

371639

Предмет изобретения

9. //

1, //

Составитель Н. Островская

Техред Е. Борисова

Редактор И. Орлова

Корректоры: В. Петрова и А. Николаева

Заказ 1318/2 Изд. ¹ 1199 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, /К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 измерения достигает 100%. Устройство позволяет измерять скорость роста пленки в начальный период осаждения с точностью, определяемой погрешностью измерительного прибора, Устройство для контроля скорости роста и толщины пленки при вакуумном испарении, содержащее кварцевый резонатор, помещенный в водоохлаждаемый корпус с отверстием для прохождения потока пара испаряемого вещества, заслонки для перекрытия потока пара, отличающееся тем, что, с целью уменьшения тепловой погрешности кварцевого резонатора, на поверхности заслонки, обращенной к резонатору, установлен нагреватель, создающий тепловой поток на резонатор, равный тепловому потоку от испарителя.

Всгсоюзнаи Всгсоюзнаи 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх