Вакуумный способ контроля герметичности полупроводниковых приборов

 

ОПИСАНИЕ 34Ш7

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Са«сз Ссеетснин

Ссциелистинеснин

Реслуслин

=>aEHc nIo; от авт. свидетел«..ства И,Ч. К., Н 011" /И

Залил но 08Х1.1961 (М 904111/26-25) с приссединенисм заявки >« 1352888/>6-?5

Кс«лите«ю лелем йеесйе«еиий и oiKptпиа лси Ссае«е Минис«ссе

Приоритет

Опубликовано 05.Л.1972. Б«оллете»ь,",А 18

Дата опубликованич описания 23Х1.1972

УДК 621. ".8.001.3 (088.8) Автор изобретения

Ю. И, Герыан

Заявитель

ВАКУУМНЫ11 СПОСОБ КОНТРОЛЯ ГЕРМЕТИЧНОСТИ

ПОЛУПРОГОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к способам контроля герметичности полупроводниковых приборов.

Известны способы определения теряет>«чйости с иопользoEaHHEAJ тест-газа, иаприз«ер масс-спектрометри «еск««й способ с использоваНИЕМ ГЕ ««lл H.IIH CFIOCOO C HCiiOЛЬ- OF aHHP>f Радиоактивного газа.

Основным недостатком известных способов является невозможность определения грубых течей (более 0,1 — 1 л чк.««/еек,. так как тестгаз, в среде которого герметизировано или опрессовано контролируемое изделие, быстро выходит из него через грубую течь.

Для замедления выхода тестга"a из прибора используют специальные газопоглотители (геттеры). Геттер, насыщенный тестгазол,.х«ожет выделять его в течение длительного времени, что позволяет индицировать как тонкую, так и грубую течь, Однако этот способ не позволяет определить величину течи (грубу«о T2чь можно принять за тонкую), а геттер постепенно истощается, что делает невозмо>кHoll про.верку герметичности приборов через большой проме>куток времени после герметизации. Кроме того, размещение геттера внутри изделий нежелательно по конструктивным и технолоFHil2c1(Hill соображе«««я: «.

Поэтому наряду с вь«со«сочувств««тель««ым«l методами контроля на тонкие тсчи (менее

0,1 л III;»i еек) применяют контроль на грубую течь с помощью погру>кения контролируе мого изделия в нагретую или гакуумируемую

;кидкость с тем, чтсбы по вь«неляюш««вся пузырьках«определить течь.

В полупроводниковой г«ромышлеHHocT«I применяется так:ке метод кснтролл, заключаю1п щийсл в выдерживаиии контролируемых приборов в жидкости или пирс. Прп 3Toм в случае попадания влаги в««утрь прибора îí выходит из строя и отбраковываетсл по изменившимся параметрам. Однако жидкостные мето15 ды контроля крайне неэффективным из-за ухудшения качества, сниженич срока слу>«сбь« и «гаде>кност««приборов, выдержавших контроль герметичности, Но имеющих х«««кро«сапилляры, невозможности повторной гермети2р зации или использования вышедшего в брак прибора, необъективности и иетехиологичности методов ввиду необходимости дополнительных операции обезжириванил и сушки.

Предлагаемый способ позволяет проверять

25 вздел««л с за . «кнуты м объемом на грубую течь от 0,1 л няк.и еек и более и свободен от недостатков известных методов.

По предлагаемому способу контролируемый прибор, предварительно выдержанный в ва30 кууме, помещают в ««скотопый объем с посто34III7

Изд. № 799

Тираж 448

Подписное

Заказ 1931/б

Типография, пр. Сапунова, 2 янным начальным давлением, которое изменяется на некоторую величину при наличии в изделии грубой течи.

В случае отсутствия грубой течи исходное давление изменяется на значительно меньшую величину, зависящую от величины вредного объема и от гаження внутренних поверхностей системы. Для повышения чувствнтельносги контроля Н1)оцесс можно многovpBTHQ HQBToрить.

На чертеже представлена схема контрол:ной установки, позволяющей осуществить предлагаемый способ.

Контролируемое изделие 1 помещается в с бъем 2, герметизированный с помощью уплотнения 8 в крышке 4 и накпдной гайки 5.

Вакуумный насос б создает в объеме 2 требуемое разрежение. Открыв вентили 7 и 8, соединяют объем 2 с течецскателем 9 и проверяют изделие на тонкую течь (при условии содержания в изделии тестгаза).

Для,проверки на грубую течь закрывают вентили 7, 8 и открывают вентиль 10. Воздух, находящийся В объеме 11, давление в KQTopo» контролируется манометром 12, частично пе реходит в объем 2 и при наличии грубой течи — в объем контро.тируемого изделтгя 1.

В последнем случае давление ниже, чем при герметичном изделии. Впуск воздуха в систему осуществляется через вентиль 18.

Для увеличения разности давлений и степени объективности контроля следует уменьшать разность объемов 1 и 2, Многократное повторение цикла также позволяет увеличить разность давлений. Повторив цикл, например, 5 раз, получают в объеме 11 некоторое пониженное давление, которое сравнивают с давлением, полученным в случае заведомо герметичного изделия того же объема. при пяти5 кратном повторении цикла.

Величина конечного давления в там случае, если заданы режим переключений и число циклов, может служить показателем степени негерметичности изделия. Прн определенном

1р граничном значении величины течи изделие полностью не откачивается и не наполняет:я воздухом, Для течей, меньших граничных, конечное контролируемое давление зависят от нх величин. Для меньших течей это давление

15 больше. Используя изделие с эталонной течью, можно отградуировать шкалу манометра»о величине течи.

Предлагаемый способ контроля позволяет цзмерять течи более 0,1 л мк,и сек без изме20 кения технология контролируемых изделий (напрнмер, без введения геттера) и без вредного влияния на изделия (отсутствие паров и влаги); измерять течи менее 0,1 л якл/сек обычным методом с помощью тестгаза; опре25 делять,величину грубой течи.

Предмет изобретения

Вакуумный способ контроля герметичности полупроводниковых приборов, имеющих замк30 нутый объем, отличпющийся тем, что, с целью обнаружения течей более 10

1 л гики, сек, прибор помещают внутрь герметичного об.ьема, который, попеременно и раздельно соединяют то с откачиваемой вакуум3S ной системой, то с объемом датчика давления.

Вакуумный способ контроля герметичности полупроводниковых приборов Вакуумный способ контроля герметичности полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх