Всесоюзная '

Авторы патента:

А. В. Сперанский , А. С. Гусев

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

362263

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соввтскик

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 1111.1971 (№ 1619890. 26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

М. Кл. G Olr 31122

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете тлинистрое

СССР

УДК 621.382.2(088.8) Опубликовано 13.XI 1.1972. Бюллетень ¹ 2 за 1973 г.

Дата опубликования описания 25.1.1973

Авторы изобретения

А. В. Сперанский и А. С. Гусев

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОИЗВОДНОЙ НЕЛИНЕЙНОЙ

ЕМКОСТИ p вЂ” а ПЕРЕХОДА ПО НАПРЯЖЕНИЮ

Изобретение относится к области электрических измерений параметров полупроводниковых приборов.

Известен способ измерения производной нелинейной емкости по напряжению, согласно которому исследуемую емкость включают в контур автогенератора, подают на него внешнее модулирующее напряжение и измеряют изменение частоты относительно неизменной собственной частоты автогенератора, которое пропорционально производной нелинейной емкости по напряжению.

Однако этот способ не обеспечивает возможности проведения массовых испытаний приборов, так как при подключении разных исследуемых приборов необходимо перестраивать емкость в контур= автогенератора. Кроме того, при измерении производной нелинейной емкости:по напряжению данным способом не наблюдается прямо пропорциональной зависимости величины выходного сигнала от значения производной, что вносит дополнительную погрешность в измерения за счет сложности градуировки выходного индикатора.

По предлагаемому способу для повышения точности и обеспечения возможности проведения массовых измерений наряду с постоянным напряжением смещения на исследуемую емкость подают низкочастотное напряжение прямоугольной формы, и последующим двукратным детектированием выделяют постоянное напряжение, прямопропорциональное величине производной нелинейной емкости по напряжению исследуемого прибора.

Описываемый способ может быть осуществлен с помощью устройства, приведенного на чертеже.

Устройство состоит из генератора 1, датчика 2, генератора 8, усилителя 4, первого де10 тектора 5, второго детектора б, измерительного прибора 7, резистора 8 и клемм 9 для под ключения исследуемого прибора.

При измерении производной нелинейной

15 емкости по напряжению на исследуемый приоор подается постоянное напряжение от датчика 2, высокочастотное напряжение синусоидальной формы от генератора 3 и напряжение прямоугольной формы от генератора 1.

20 Частота импульсов прямоугольной формы выбирается на два или более порядков меньше частоты генератора 8. На резисторе 8 выделяется модулированное высокочастотное напряжение. Полученное напряжение усиливает25 ся усилителем и детектируется детектором 5.

На выходе детектора б возникает постоянное на пряжение, прямопропорциональное АС. При известной величине амплитуды низкочастотного напряжения ЛУ от генератора 1 измери30 тельный прибор 7 градуируется в единицах

362263

Предмет изобретения

Составитель О, Афанасенкова

Техред Л., Богданова Корректоры: Е. Миронова и А. Степанова

Редактор Н. Коган

Заказ 200/3 Изд. № 1017 Тираж 404 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 величины производной нелинейной емкости по напряжению.

На данном участке может производится измерение емкости исследуемого прибора путем отключения генератора 1 и подключения измерительного прибора 7 на выходе детектора 5.

Способ измерения производной нелинейной емкости р вЂ” n перехода по напряжению путем подачи на исследуемый прибор высокочастот. ного синусоидального напряжения малой амплитуды, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и обеспечения возможноs сти массовых измерений, наряду с постоянным напряжением смещения на исследуемый прибор подают низкочастотное напряжение прямоугольной формы и последующим двукратным детектированием выделяют постоянное

10 напряжение, прямопропорциональное величине производной нелинейной емкости по напряжению исследуемого прибора.

Устройство для определения теплового сопротивления полупроводниковых приборов // 356599

Всегооюзная^^'-ii''(^^-:lm^mi?'ie;jiiotffi'a // 347701

Устройство для измерения статического коэффициента усиления по току транзисторов // 347700

Способ измерения времени жизни неосновных // 347699

Способ определения предельно допустимой нагрузки тиристоров // 346768

Патент 343231 // 343231

Устройство для изл1ерения экстремальных токов туннельных диодов // 342142

Устройство для классификации // 340984

Измеритель заряда переключения диодов // 337738

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим