Устройство для определения времени переходных процессов полупроводниковых приборов

Авторы патента:

В. Н. Сннеоккй, Я. Е. Настаченко , О. В. Лавриненко

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

37153 á

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства МвЂ”

Заявлено 20.VII.1970 (Ж 1470345/26-25) с присоединением заявки KeвЂ”

М.Кл. Ei 01г 31/26

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Приоритет-Опубликовано 22.!!.19?3. Бюллетень No 12

Дата опубликования описания 25Х.1973

УДК 621.382 (088.8) А вторы изобретен и я

В. Н. Синеокий, Я. Е. Настаченко и О. В. Лавриненко

Заявитель

Ъ СТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОДНЫХ

ПРОЦЕССОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано, например, при измерении времени переходных процессов полупроводниковых приборов.

Известно устройство для определения времени переходных процессов полупроводниковых приборов, содержащее источник питания, амплитудный дискриминатор, регулируемый источник напряжения, регистрирующий прибор и схему индикации.

Известное устройство не позволяет получить достаточную точность измерений.

Цель изобретения вЂ” повышение точности измерений.

Цель достигается тем, что между источником питания и амплитудным дискриминатором включен электронный ключ, образованный встречно соединенными полупроводниковыми диодом и транзистором, общая точка которых связана с регулируемым источником напряжения, а база транзистора соединена с выходом блока задержки, образуя цепь обратной связи.

В общую точку встречно включенных диода и транзистора подается напряжение уровня отсчета, являющееся прямым для диода и режимным для транзистора, включаемого сдвигающимися во времени импульсами через амплитудный дискриминатор.

На чертеже представлена блок-схема устройства.

Устройство содержит источник 1 питания, испытуемый полупроводниковый прибор 2, электронный ключ 8, амплитудный дискриминатор 4, регулируемый источник 5 напряжения, 5 вольтметр б постоянного тока, блок 7 синхронизации, генератор 8 импульсов управления, блок 9 задержки, коммутатор 10, схему 11 индикации. Точечный диод 12 и транзистор 18 входят в состав электронного ключа 8.

1о Амплитудный дискриминатор 4 настраивают на напряжение уровня отсчета, используя источник 5 питания с регулируемым входным напряжением, по вольтметру постоянного тока.

Источник питания задаст режим по

)5 аноду А вЂ” катоду К (коллектору к-эмиттеру э) полупроводникового прибора 2; и диоду 12 электронного ключа 8 приложено прямо смещающее напряжение на аноде А (коллекторе к) полупроводникового прибора 2.

2О Напряжение в точке А повторяет процесс на полупроводниковом приборе 2 при отпертом диоде 12 электронного ключа 8 и равно напряжению уровня отсчета при запертом диоде 12.

Импульсы блока 7 синхронизации одновре25 менно запускают генератор 8 импульсов управления и поступают на вход блока 9 задержки. Выходные импульсы блока задержки отпирают транзистор 18 электронного ключа 8, через который контролируется достигнутый

Зр уровень переходного процесса полупроводнп371536

Предмет изобретения

Составитель 3. Челнокова

Р дпкгор И. Орлова Техред Л. Богданова Корректоры Е. Михеева и Е. Денисова

Заказ 1944 Изд. ЛЪ 1219 Тираж 755 11одппснос

ЦНИИПИ Кооштета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Обл. тип. Ко,:вромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли кового прибора 2 амплитудным дискриминатором 4. Последний формирует импульсы запуска коммутатора 10, управляющего блоком задержки.

В момент изменения состояния амплитудного дискриминатора 4, фиксирующего достижение переходным процессом заданного уровня отсчета, коммутатор 10 прекращает сдвиг во времени импульсов, управляющих транзистором,И электронного ключа 8. При этом схема индикации выдает величину измеряемого временного интервала в цифровой форме.

Устройство для определения времени переходных процессов полупроводниковых приборов, содержащее источник питания, амплитудный дискриминатор, регулируемый источник напряжения, регистрирующий прибор, схему индикации, генератор управления, вход кото5 рого через блок синхронизации соединен с входом блока задержки, а второй вход блока задержки через коммутатор соединен с выходом амплитудного дискриминатора, отлича>вившееся тем, что, с целью повышения точности измере10 ний, между источником питания и амплитудным дискриминатором включен электронный ключ, образованный встречно включенными полупроводниковым диодом и транзистором, общая точка которых соединена с регулируе15 мым источником напряжения, а база транзистора соединена с выходом блока задержки, образуя цепь обратной связи.

Устройство для контроля исправности вентилей // 369520

Устройство для измерения удельного тока туннельного диода // 366425

Устройство для определения нестабильности обратных токов переходов полупроводниковых // 366423

Всесоюзная ' // 362263

Устройство измерения статического коэффициента передачи тока транзистора // 356600

Устройство для определения теплового сопротивления полупроводниковых приборов // 356599

Всегооюзная^^'-ii''(^^-:lm^mi?'ie;jiiotffi'a // 347701

Устройство для измерения статического коэффициента усиления по току транзисторов // 347700

Способ измерения времени жизни неосновных // 347699

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим