Оперативное запоминающее устройство

Авторы патента:


 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Содиалистмческ их

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено ОЗХ.1971 (№ 1653238/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 07.Vll.1972. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 21.VI I.1972

М. Кл. С 11с 11,/00

Комитет по делам изобретемий и открытий при Совете Мимистров

СССР

УДК 681.327.66(088.8) Автор изобретения

А. С. Свердлов

Заявитель

ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Предложенное изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройство (ЗУ).

Известны ЗУ, в которых в схеме управления диодным дешнфратором магнитного оперативного накопителя для коммутации двухполярных импульсов тока используют транзисторные ключи. Каждый ключ обеспечивает коммутацию импульсов тока одной полярности. Поэтому для коммутации двухполярных импульсов требуется обычно удвоенное количество ключей. Для управления транзисторами применяют импульсные трансформаторы, осуществляющие переход от дешифрирующей схемы и синхронизатора к координатным ключам.

Таким образом, для управления диодным дешифратором необходимо относительно громоздкое электронное оборудование, особенно при большей емкости устройства памяти.

Цель изобретения — упрощение схемы управления ЗУ и уменьшение ее объема и стоимости.

Это достигается тем, что в устройстве ключевые элементы выполнены на МДП-транзисторах, стоки которых соединены с координатными шинами диодного дешифратора, истоки — с выходом формирователя управля:ощих импульсов тока, а затворы подключены к соответствующим дешифраторам кода адреса числа.

На чертеже показана схема устройства где:

1 — координатные шины У, 2 — координатные шины Х, 8 — числовые обмотки магнитного накопителя, 4 — разделительные диоды дешифраторной матрицы, 5 — ключевые транзисторы, б — формирователь управляющих импульсов тока.

10 Устройство работает следующим образом, При отсутствии напряжения на затворе ключевого МДП-транзистора с индуцированным каналом ключи закрыты. Для выборки адреса отрицательное напряжение подается

15 на затворы транзисторов, управляющих выбранными координатными обмотками, и огкрывает ключи. Двухполярные импульсы адресного тока проходят через открытые ключи и выбранный адрес накопителя.

20 Количество транзисторов в координатных шинах Х уменьшено в два раза по сравнению со случаем применения биполярных транзисторов, Это возможно благодаря двухсторочней проводимости МДП-транзисторов. Управ25 ление ключами как верхними, так и нижними происходит путем подачи на затворы отрицательного напряжения. Это позволяет обойтись без трансформаторов и управлять ключами непосредственно от выходных кас30 кадов логического дешифратора кода адреса.

344498

Составитель Ю, Розенталь

Корректор E. Михеева

Техред Т. Ускова

Редактор Т. Рыбалова

Заказ 2266/14 Изд. № 976 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4(5

Типография, пр. Сапунова, 2

Ключи могут быть вь полнены в виде микросхем, содержащих каждая на одной подложке большое число координатных ключей.

Выбором соотношения длины и ширины канала определяют необходимое сопротивление координатного ключа, задающее амплитуду импульсов числового тока.

Предмет изобретения

Оперативное запоминающее устройство, содержащее диодный дешифратор накопителя с координатными шинами и ключевыми элементами, формирователь управляющих импульсов тока и дешифраторы кода адреса числ"., отличаюи ееся тем, что, с целью упрощения устройства, в нем ключевые элементы выполнены на МДП-транзисторах, стоки которых соединены с координатными шинами диодного дешифратора, истоки — с выходом формирователя управляющих импульсов тока, а за10 творы подключены к соответствующим выходам дешифраторов кода адреса числа.

Оперативное запоминающее устройство Оперативное запоминающее устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние
Наверх