Запоминающий элемент

Авторы патента:

Б. Т. Коломиец, А. Зейналлы, А. А. Агасиев , Л. А. Жураковский

G11C11/40 - транзисторов

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

И АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕДЬСТВУ

292l92

Вседа 6оветсиив

Социалистическиа

Республик

Зависимое от авт. свидетельства чо

МПК С !1ñ 11/34

Заявлено 22 1Х.1969 (1чв 1365801/18-24) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 06,1.1971. Бюллетень М 4

Дата опубликования описания 26.11.1971

Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681.327.66(088.8) Авторы изобретения Б. T. Коломиец, А. Х. Зейналлы, А. А. Агасиев и Л. А, Жураковский

Заявитель

ЗАПОМИ НА10ЩИ Й ЭЛ ЕМ ЕНТ

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к запоминаюшим устройствам цифровых вычислительных машин.

Известен запоминающий элемент, содержащий пленку стеклообразного материала, расположенную между двумя токонесущими электродами.

Недостатком известного элемента является непрерывное изменение состояния.

С целью повышения быстродействия и обеспечения длительного хранения информации пленка стеклообразного материала выполнена из соединения Sbs

На чертеже схематически изображен запоминающий элемент.

На основании 1 из проводящего материала нанесена пленка 2 соединения SbSJ, на которой расположены токонесущие электроды 3.

При подаче на элемент напряжения включения проис«одит скачкообразное увеличение проводимости на 3 вЂ” 4 порядка, причем после снятия напряжения состояние высокой проводимости сохраняется на длительное время без

5 приложенной разности потенциалов, т. е. без затраты энергии.

Перевод в первоначальное состояние высокого сопротивления осуществляется путем подачи на элемент стирающего одиночного пм10 пульса напряжения, вели пша которого должна быть больше напряжения запоминания.

Предмет изобретения

Запоминающий элемент, содержащий плен15 ку стеклообразного материала, расположенную между двумя токонесущими элсктродамп, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и обеспечения длительного хранения информации, пленка стеклообра »o20 го материала выполнена из соединения ЬЬЯI

292192

Составитель Н. С, Прокофьева

Редактор Л. A. Утехина Техред А. А. Камышникова Корректор В. И. Жолудева

Изд, № 167 Заказ 330/8 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Похожие патенты:

Запоминающий элел1ент // 289446

Запоминающий элемент // 284044

Ячейка памяти // 284042

Патент 284030 // 284030

Запоминающий элемент // 283307

Патент 282417 // 282417

Запоминающий элемент на моп-транзисторах // 277856

Ячейка памяти // 267701

Триггерное устройство // 266838

Патент 262956 // 262956

Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Накопитель запоминающего устройства // 2106022

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Цепь усиления напряжения для использования в полупроводниковом запоминающем устройстве // 2138085

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Динамическая ячейка памяти // 2147772

Конструкция ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями // 2156013

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Способ регенерации для динамических запоминающих устройств с произвольным доступом // 2163035

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Устройство полупроводниковой памяти для достижения высокой производительности и способ расположения в нем сигнальных шин // 2170955

Изобретение относится к устройству полупроводниковой памяти

Генератор накачки с изменяемым числом ступеней // 2172525

Изобретение относится к электронной технике

Запоминающая ячейка статического зупв // 2188465

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Схемное устройство с некоторым числом электронных схемных компонентов // 2189082

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние