Запоминающий элемент

Авторы патента:


 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

3I7I09

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 08.Х11.1969 (№ 1383914/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 07.Х.1971. Бюллетень ¹ 30

Дата опубликования описания 24.XI I.1971.ЧПК G 1lс 11/40

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР .тДК 681.327.67(088.8) Авторы изобретения

H. И. Щедров, И. И. Михайлов, В. М. Пухович, В. А. Стулов и В. И. Тупас

Институт автоматики

Заявитель

1!»ДЯ

ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛ ЕМ ЕНТ

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известен запоминающий элемент, содержащий транзистор, связанные с его электродами диоды, резисторы, конденсаторы, индикатор, например лампу накаливания, подключенный к коллектору транзистора, общую шину. Однако эти элементы громозки, их отличает сложность схемиого решения и малая надежность.

Описываемый запоминающий элемент отличается от известного тем, что коллектор транзистора через последовательно соединенные резистор и конденсатор подключен к аноду разрядного диода, катод которого связан с общей шиной, а база транзистора подключена к аноду зарядного диода, катод которого подсоединен к аноду разрядного диода. Такое выполнение позволяет упростить запоминающий элемент и повысить его надежность.

На чертеже изображена принципиальная схема запоминающего элемента.

Oii состоит из транзистора 1, в коллекторную цепь которого вк.почен индикатор 2, например лампа накаливания, связанный с источником напряжения — E (источник на чертеже не показан). Чекду коллектором и базой транзистора 1 включена цепочка, состоящая из последовательно соединенных резистора 8, конденсатора 4 и зарядного диода 5, к катоду которого подключен анод разрядного диода 6. Катод разрядного диода 6 связан с общей шиной 7. К базе транзистора подключен опорный диод 8, катод которого подсое5 дипеи к входной клемме 9.

Запоминающий элемент работает следующим ооразом.

В исходном состояшш — при отсутствии сигнала иа входной клемме 9 — транзистор 1 за10 перт. Конденсатор 4 заряжен от источника иапряя ения до номинальной вели шиы E.

Лампа 2 погашена. При появле|ши сигнала иа входной клемме 9 oiIopIIIIII диод 8 и трапзистор 1 открываются. В течение действия

1 кратковременного в. одного импульса конденсатор 4 разряжается по Ucïn: разрядный диод 6, транзистор 1 и резистор 8 (в это время зарядиьш диод 5 заперт), одновременно включается лампа 2. После окончания входного

20 импульса кондеис;пор 4 заряжается, удержиLàÿ транзистор 1 в открытом состоянии, а лампу 2 — во вкл1очеииом состоянии. Ток коллектора транзпсгора прекращается, начиная с момента полного заряда конденсатора 4, при

25 этом лампа 2 гаснет.

Цикл повторяется с приходом следующего импульса.

Таким образом запоминающий элемент каждый раз на короткое время сохраняет вход30 ную информацшо.

337109

П j) c д !1 е т .1 з о б () т е: I:I »!

)

)

) (:г)ет,):,и. :е:i В. Ру1И)ков

Корректоры: Б. Петрова и Л. Корогод

Р«я!)к fu!) Е. Гог!чар

3 )i;;,и 31)91 ! I:l3lI. C " 1 i,)!> Р)ij);)æ 173 П!)»инеи!)е

1 П1ИП111, .::::;;,;::"...ие,п:.:., .«. " и!! « ":,".:.! и! С и :е,М "»;" .; CC!..P

1)., гп„...,. 1-,1, 5

Т ии)грп 1:и i, и,). Сипуll0.))), 2

Заио .ииаю1!!1:,» злг )il .", Соде)) к=-.:I, I IICTQp C1I)IO;!1:i,.C с СГО зле.;. ()0 )а,I-; .!1 О;!Л. ()сз исто() ы„ко)i;Ici!cе! «)i; »I, i1! .(икато ) „иго )!) и.)1Ср с!а..)1иу I!a! алииа;):», ио гкл10 !С.1-!1,!! : к коллекто(зу траиз":сто()!1, об !.1у!.) IIIIII!, Il(uoIlIt1llc. I те 1, чт0, с 1!ел! Го l !1)»)ще! „:.;. !К1:"i!c1 . . )! I;! I O: к I l!) C T I I 3 а !10 i%i! l I I li .0 Щс ГО Э;1 С:)1 Си т 11, колл. Кто ) и() аизисто() а через иослсдозател!.1!О сос;11. .!Сii;i:, с !)сзистоэ и коид IIcBTo(1 I."Oäåli!О-! еи к аи;),1у !)аз()я1ного диода, катод которо-! о c!:»за! с 00!де, шш 011, а оаза траизисто>а иодк. Гочс. а к аноду за!)»диого диода, катод

h0Top0: 0 110дсОсдииеii к cIIIoTI ()азрядиого ,,иода.

Запоминающий элемент Запоминающий элемент 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания постоянных (ПЗУ) и репрограммируемых (РПЗУ) запоминающих устройств повышенной информационной емкости на основе МДП-структур

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и, в частности, к цепи усиления напряжения (употребляемый здесь термин "цепь усиления напряжения" имеет тот же смысл, что и "усилительная схема", "цепь выработки усиленного напряжения", "однокаскадная усилительная схема с компенсационной обратной связью" и т.д.) для усиления подаваемого от системы питающего напряжения до желательного уровня усиления напряжения

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Изобретение относится к способу регенерации ячеек памяти в динамическом запоминающем устройстве с произвольным доступом и, в частности, к способу, который уменьшает помехи регенерации на напряжении стока динамического запоминающего устройства с произвольным доступом, имеющего КМОП-структуру

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к запоминающей ячейке статического ЗУПВ

Изобретение относится к схемному устройству с некоторым числом электронных схемных компонентов, состояние которых может переводится в исходное состояние
Наверх