Запоминающий элел1ент
О Г1 И (: А Н И Е 289446
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹,ЧПЬ; G 11с 11/40
УДК 681.327.66(088.8) Заявлено 16.1Х.1969 (№ 1360392, 18-24) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Комитет по делам изо0ретениЯ и открытий при Совете Мииистров
СССР
Опубликовано 08.XI1.1970. Бюллетень ¹ 1 за 1971
Дата опубликования описа1шя "8.1.1971
П. К. Атанов, Г. Ф. Васильев, В. И. Сапронов, A. П. (орофеев и В. А. Белоглинцев
Авторы изобретения
Заявитель
ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ
Изобретение относится к области вычислительной тскппки, в частности к запоминающим устройствам цифровыл.. вычислительнык машин.
Известен запоминающий элемент, выполненный на транзисторак со структурой металл — окисел — полупроводник (,ЧОП-транзисторак), содержащий триггер, пагрузо шые транзисторы и транзистор считывания. 11едостатком известного элемента является большое число транзисторов Ila единицу информацш.:.
С целью уменьшения числа транзистороз и предложенном элементе затворы нагрузочнык транзисторов соединены со стоком транзистора считывания и шипами восстановления инQopAIBIIIIII н адреса, а стоки нагрузочнык транзисторов подключены к разрядным шинам записи «О» и «1» соответственно.
На чертеже представлена с.:ема запомина|ощего элемента.
Элемент состоит из триггера, выполненного на транзнсторак н 2, нагрузочнык транзисторов 8 и 4 и транзистора считывания 5.
С.;ема работает следующим образом.
В искодном состоянии на стоки транзистороь 8 и 4 подается отрицательньш потенциал соответственно по цепям записи «О и «1».
Прн этом информация кранится на емкостяк б и 7, являющикся паразитнымп внутреншгми распределенными емкостями скемы. Восстанавливающие импульсы поступают от генератора импульсов по цепи восстановления информац:и па адресную шину, транзисторы 8 и 4 открываются, II потештиал на емкости,кранящей код «1», возрастает до максимального значения, транзистор, затвор которого соединен с точкой «ранения информации, открыва10 ется еще сильнее, чем обеспечивает более благоприятные условия для разряда емкости, кранящей код «0», Считывание информации можно произво15 дить при подаче импульса напряжешгя на адресную шину, стробируя скему счить|вания 8.
Запись проис.;одит путем подачи на сток одного из нагрузочны.; транзисторов потенциа.7а «0». На стоке второго транзистора при20 сутствует при этом отрицательный потенциал.
Таким образом, через транзистор, на стоке которого присутствует IIQT;IIUIIaл «О», емкость разряжается, а через транзистор, на стоке которого присутствует отрицательный потенци25 ал, емкость заряжается, т. е. запись проискодит парафазно. Так как считывание проискодит через затвор считывающего транзистора имеющего очень высокий вкодной импеданс, информация практически не разрушается до
30 при.;ода восстанав 7ивающего импульса.
289446
Предмет изобретения йосстанобитепьный
Бинин
Составитель H. С. Прокофьева
Редактор Л. А. Утехина
Корректор Н. Л. Бронская
Изд. ¹ 14 Заказ 4033i17 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий нри Совете Мш|нстров CCCP о!осква, )К-35, Раушская наб., д. 4, 5
Типография, пр. Сапунова, 2
Запоминающий элемент, выполненный на тринзисторах со структурой металл — окпсел— полупроводник (МОП-транзисторах), содержащий триггер, нагрузочцыс транзисторы и транзистор считывания, отлича ощийся тем, что, с целью уменьшения числа транзисторов, затворы нагрузочнык транзисторов соединены со стоком транзистора считывания и шинами восстановления информации и адреса, 5 а стоки цагрузо п1ык транзисторов подключены к разрядным ш;шам записи «0» и «1» соответственно.
