Патент ссср 288048
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Соеетских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹"
3 а явлено 07.Х.1969 (№ 1366057118-24) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано ОЗ.Х11.1970. Бюллетень ¹ 36
Дата опубликования описания 28.1.1971
1с,л. 21ат, 37,/04
Комитет по делам изобретений и открытий при Ссеете Министров
СССР
ЧП К G 11с 11 14
УДК 681.327.66(088.8) Авторы изобретения
А. Д. Бех, В. М. Корсунский, В. В. Чернецкий и Б. И. Павлусь
Институт кибернетики АН Украинской ССР
Заявитель
НАКОП ИТЕЛ Ь
Изобретение относится к запоминающим устройствам II может быть применено при построении этик устройств на тонкик магнитных пленках.
В известных накопителях, выполненнык в виде тонкопленочных матриц с адресными и разрядными шинами, помеки при считывании устраняются с помощью компенсирующих разрядных шин, проло>кепнык параллельно рабочим.
Но при этом, если расстояние между разрядными шинами недостаточно большое, поле рассеивания запоминающих элементов пронизывает компенсирующие шины. Изменение этого поля при считывании создает на компенсирующпк шинак паразитное напря>кение помехи, которое на усилителе воспроизведения складывается или вычитается с полезным сигналом в зависимости от записанной информации в соседних разрядах.
Пелью изобретения является устранение влияния запоминающик элементов на компенсирующие шины, что позволит избавиться от взаимодействия между разрядами накопителя, сократить расстояние между разрядными шинами в матрице и тем самым увеличить плотность располо>кения запоминающих элементов. Увеличение плотности =-апомииающик элементов дает возможность обойтись меньшим количеством матриц при построении запсмицающего устройства заданного объе а и уменьшить его стоимость.
Это достигается путем добавления дополнительнык разряднык шин, проходящих над компенсирующим разрядными шинами и замкнутыми между собой вне матрицы. Поле рассеивания запоминающик элементов пронизывает дополнительные и компенсирующие шины. Изменение этого поля при считывашш вызывает ток в короткозамкнутык дополнительнык шинак, который препятствует быстрому изменению магнитного потока, окватывающего компенсируloLIl,nå шш.ы и, следовательно, появлению помеки от считанных сигналов в компенсирующик шинах. Таким образом. величина полезного сигнала, считанного с рабочей шины, не зависит от состояния намагниченности соседник запоминающик элементов.
Предлагаемый накопитель изображен на чертеже. Он состоит из тонкопленочцык матриц 1, адреснык шин 2, разрядиык рабочик шин 8, разряднык компенсирующих шин 4 и дополнительны>; короткозамкпуTû_#_ шин 5, расположенные над шинами 4.
Накопитель работает следуюцц1м образом.
Прп отсутствии управляющик токов в накопителе магнитньш поток рассеивания запоминающего элемента А полностью охватывает
30 шину > и частично шины 4 и о. Пои вялю и—
288048
Предмет изобретения
3 9
2 3 9
Составитель А. Соколов
Редактор Ю. Д. Полякова Тсхрсд Т. П. Курилко Корректор Г, С. Мухина
Заказ 3948;16 Тираж 480 Подписное
ЦНИИГ111 Комитета по делам изобрстсш1й и открытий при Совсте Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская аб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 нии тока считывания в адресную шину 2 вектор намагниченности запоминающего элемента поворачивается на 90 и магнитный поток рассеивания запоминающего элемента, охватывающий шины т, 4 и 5, становится равным нулю. В результате такого изменения потока в шине 4 индуцируется паразитное напряжение в момент считывания сигнала. Индуцированный в шине 5 ток, протекающий по короткозамкнутым шинам вокруг матрицы, препятствует изменению магнитного поля вокруг шины 4. Поэтому индуцированное напряжение в момент считывания на шине 4 равно нулю и не влияет на величину полезного сигнала, Шины 5 не соединены с землей и расположены поверх шип считывания. Поэтому они
»е влияют на величину емкостцой связи шины
2 с шинами т и 4 и не нарушают, следовательно, компенсацию помех при считывании.
Накопитель, выполненный в виде тонкопленочных матриц с адресными, разрядными рабочими и разрядными компенсирующими шинами, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины ослабления считанных сигналов и увеличения плотности расположения запоминающих элементов, над разрядными компенсирующими шинами размещены дополнительные шины, замкнутые между собой впе матрицы.
