Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках

 

Ссн!г Ссветсккк

Садиалистикеских

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ЗВÇHслмое От явт. Ов идетельствя

Заявлено 09.VI.1969(¹ 1337546/18-24) 1,л. 21a, 37/04 с присоединен!ием заязк:I ¹вЂ”

Комитет пс делгы ивобретеикк и открытий при Совете Министров

СССР. 1ПК G 11с 11, 14

У Ч,К 681.327.66 (088.8) HpIIopn TåT—

Оттублпковат!О 28.1Х.1970. Б!о,!лстень ¹ 30

Дата опуоликования описания 7.17.1971

Авторы изобретения

П. А. Гродзенский, А. К. Гуральник, О. В. Росницкий, С. Б. Торотенков, H. Н. Циолковская и В. I(. Ярославцев

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦ ЗАПОМИНАЮЩИХ

УСТРОЙСТВ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ

Настоящее изобретение относится к облаcI и запоминающих устройств.

Известен способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках, состоящии в том, что на ткацком станке в качестве основы натягивают технологические струны, в которые последовательно вплетают обмотки. После окончания плетения обмотки заливают компаундом или лакнруют, а затем извлекают технологические струны.

Прп таком способе изготовления матриц нельзя уменьшить диаметр технологических струн против установленного предела, так как прн этом не обеспечивается нсобходимая мехаш!ческая прочность и жесткость. Таким образом, этот способ делает невозможной дальнейшую миннатюризацию запоминающих ячеек и матриц.

Известный способ нс гарантирует также сохранность изоляции обмоток после извлечения из матриц технолог!и!еских струн.

Предлагаемый способ отличается от известHbIx тем. что в процессс изготовления матриц технологические струны перемещают, а сформированные обмотки отделяют от зоны плетения зяжи. 1!Ом-разделителем. Это позВОляст уменьшить габариты матриц и устранить деФормацию обмоток возбуждения при их изготовлении на ткацком станке.

Кроме того, описываемый способ отличает.ся от известных тем, что после заливки компаундом или лакировки обмоток возбуждения технологические струны растягивают за противоположные концы до разрыва. Это исклю-! аст возможность повреждения изоляции обмоток.

Технологическая схема изготовления матриц по предлагаемому способу представлена

10 IIa чертеже.

Технологические струны 1, натянутыс па рамку, служат основой при изготовлении обмоток на ткацком станке. При перемещении

15 рсмизок 2 и 8 тсхнологи1!сские струны раздвигают для обра3oвания зева 4, через который проходит челнок (на чертеже не указан) с проводом утка, последовательно с помощью батана 5, образуя витки плетеней обмотки 6.

20 Рамку вместе с обмоткой перемещают на заданный шаг. Прп этом обмотка возбуждения. попадает за зажим — разделитель 7, который зажимает технологические струны и отделяет зону со связанными обмотками возбухкдения

25 от зоны плетения.

После того как плетение закончено, обмотки зялиВяют компаундом или лякируют, а зятем растягивают технологические струны за противоположныс концы до разрыва и извлекают пх. Желательно применять технологи282428

Составитель В. Рудаков

Текрсд Т. П, Курилко

Корректор Т. А. Китаева

Редактор Ю. Полякова.1аказ 7565 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Областная типография Костромского управления по печати ческие струны из материала, имеющего относительное удл 1нсние не менее 40%.

Предмет изобретения

1. Способ изготовления матриц запоминающих устройств H

2. Способ по п. 1, отличаюи ийся тем, что, с целью исключения повреждения изоляции

10 оомоток, растягивают технологические струны за противоположные концы до разрыва.

Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх