Тонкопленочное запоминающее устройство

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

263680

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 04.Х1.1968 (№ 1280873/18-24) с прнссединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 10.11.1970. Бюллетень ¹ 8

Дата опубликования описания 4.VI.1970

Кл. 21а>, 371 04

МПК G llс 11/14

УДК 681.327.02.

Комитет по делам хзобретеиий и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

А. Д. Бех, В, М. Корсунский и В. В. Чернецкий

Институт кибернетики АН Украинской ССР

Заявитель

ТОНКОПЛЕНОЧНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Предлагаемое устройство относится к области вычислительной техники и может быть применено при построении запоминающих устройств (ЗУ) на тонких пленках.

Известны тонкопленочные ЗУ, содержащие полупроводниковые дифференциальные усилители считывания и тонкопленочные матрицы с числовыми шинами, рабочими разрядными шинами и вспомогательными шинами, проложенными между рабочими. Для них характерна повышенная потребляемая мощность и незначительный объем.

В описываемом ЗУ это устраняется тем, что вспомогательные разрядные шины подключены к базам дополнительных транзисторов, включенных в разные плечи дифференциальных усилителей.

Это увеличивает объем ЗУ и уменьшает потребляемую мощность.

На чертеже представлена схема описываемого устройства.

Оно содержит накопители 1 и 2, запоминающие элементы 8, числовые шины 4, рабочие разрядные шины 5, вспомогательные разрядные шины б, формирователь тока записи

7, разделительный дроссель 8, дифференциальный усилитель 9 и транзисторы Т,вЂ” Т4.

Положительный эффект достигается путем отключения вспомогательной разрядной шины б от выхода формирователя тока записи

7 и входа транзистора Тв усилителя считывания и подключения ее только ко входу дополнительного транзистора, включенного параллельно транзистору Т,. Высвободившийся разрядный ток 11 подается в рабочую разрядную линию еще одного накопителя, которая подключается также к транзистору Т>.

Дополнительная разрядная линия этого накопителя подключается ко входу дополнитель10 ного транзистора Т,, включенного параллельно тр а нзистор у Т,.

Считанный сигнал снимается с выходов а и б.

Формирователь тока записи 7 выдает рав15 ные токи 1, и 1, одновременно в два идентичных накопителя 1 и 2. Напряжения, возникающие на шинах 5 в момент записи, равны и на выходе усилителя вычитаются. Дроссель

8 предотвращает шунтирование считанных

20 сигналов. Разрядные токи I. и 1, используются для записи информации в накопители 1 и

2. Этим достигается увеличение емкости без дополнительной затраты мощности на питание разрядных шин.

Предмет изобретения

Тонкопленочное запоминающее устройство (ЗУ), содержащее полупроводниковый дифференциальный усилитель считывания и тон30 копленочные матрицы с числовыми шинами, 263680

Юыл о/

Составитель В. М. Щеглов

Редактор Е. В. Семанова Техред Л. А. Камышникова Корректоры В. Петрова и Е. Л асточ к ин а

Заказ !394i7 Тираж 500 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 475

Типографии, по. Сапунова, 2 рабочими разрядными шинами и вспомогательными шинами, проложенными между рабочими, отличающееся тем, что, с целью увеличения объема ЗУ и уменьшения потребляемой мошности, вспомогательные разрядные шины подключены к базам дополнительных транзисторов, включенных в разные плечи дифференциального усилителя считывания.

1 !

Похожие патенты:

Элемент памяти // 262972

Устройство для изготовления проволочных подложек цилиндрических магнитных пленок // 262831

Патент 259432 // 259432

Способ изготовления пленочных магнитных матриц // 259158

Способ изготовления магнитопроводов // 257633

Способ изготовления пленочных магнитныхматриц // 251713

Ля библиотека // 251007

Способ изготовления ферритовых пленочиых элементов памяти // 245179

Способ изготовления тонкопленочных элементовпамяти // 244398

Запоминающий элемент // 239386

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)