Способ изготовления тонконленочных элементов памяти

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

О П И-С"А "Н" И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

277863

Союз Соввтскиз

Социалистическиа

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства № 244398

Заявлено 07.1V,1969 (№ 1329021/18-24) Кл. 21ат, 37/66 с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет по декам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

МПК С 11с 11/14

УДК 621.326.77 (088.8) Опубликовано 05.VIII.1970, Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 6.XI.1970

Авторы изобретения

С. И. Коняев и Х. И. Кляус

Институт математики Сибирского отделения АН СССР

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ

ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных элементов памяти и коммутаторов электрических сигналов для электронных вычислительных устройстг,.

По основному авт. св. № 244398 известен способ изготовления тонкопленочных элементов памяти. Полученные этим способом элементы памяти имеют низкую стабильность и малую величину (1 вЂ” 2 в) порогового напря>кения включения и коммутируют малые токи (менее 5 ма) .

С целью получения тонкопленочных элементов памяти с повышенной стабильностью порогового напряжения включения, увеличения порогового напряжения включения до

10 вЂ” 40 в и коммутируемого тока до 30 >яа и сокращения технологического цикла, аморфная пленка диэлектрика осаждается в атмосфере элементарного селена на пленку металла с высоким коэффициентом диффузии в диэлектрик под действием электрического поля при комнатной температуре подложки, после чего при той же температуре подложки наносятся верхние металлические электроды.

Например, на изолирующую подложку, нагретую до температуры 50 вЂ” 60 С, при вакууме

2.10 4 лм рт. Ст. наносится пленка металла, хорошо диффундирующего под действием электрического поля в диэлектрик (например, In, Ag и др.), толщиной 5000 вЂ” 6000 А. Затем на эту же подложку при комнатной температуре в атмосфере элементарного селена при давлении 10 з,нл рт. ст. термическим распылением наносится пленка аморфного диэлектрика- (SiOx, TiO и т, д.) толщиной, определяемой выбранной величиной порогового напряжения включения. После этого при той

10 же температуре подложки наносится металлический электрод, не диффундирующий под действием электрического поля в диэлектрик и имеюиtий работу выхода меньшую, чем диффузант.

15 На чертеже приведена вольт-амперная характеристика тонкопленочного элемента, полученного предложенным способом.

Число переключений элемента составляет

10 на квадратный миллиметр площади элек20 тродов.

Предмет изобретения

Способ изготовления тонкопленочных элементов памяти по авт. св. ¹ 244398, отлича о25 щийся тем, что, с целью повышения стабильности порогового напряжения включения, увеличения амплитуды порогового напряжения включения и коммутируемого тока, сокращения технологического цикла, аморфную

30 пленку диэлектрик" осаждают на пленку металла в атмосфере элементарного селена.

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Т. 3, Орловская

Корректор О. Б. Тюрина

Заказ 3188/6 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )K.-35, Раушская наб., д. 4i5

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ изготовления тонконленочных элементов памяти

Трица памяти // 269218

Элемент памяти // 264466

Тонкопленочное запоминающее устройство // 263680

Элемент памяти // 262972

Устройство для изготовления проволочных подложек цилиндрических магнитных пленок // 262831

Патент 259432 // 259432

Способ изготовления пленочных магнитных матриц // 259158

Способ изготовления магнитопроводов // 257633

Способ изготовления пленочных магнитныхматриц // 251713

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)