Элемент памяти

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

264466

l,пк1з "ll«".: .х«х

Спц«1апист««осu«ю

Республик

Зависимое OT авт. св11детельства Л

Кл. 21ài, 37/04

Заявлено 20.Х1.1968 (№ 1284370/18-24) С Iij> I!COO.III IICII!ICOSI 33>IBh! I М

МПК G 11с

УДЕ, 681.327.66(088.8) Приоритет

Опубликовано 03.111.1970. Б10ллетс1п М 9

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Дата опубликования описания 12.VI. 1970

А. М. Райтаровский, E. П. Ильин, Л. В. Ефремова, Б. Е. Бычков... и Л, Н. Копин

Авторы изобретения

Заявитель

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изooрс l ен ие О Гнос11тс51 K 00л а сT! I 3апомииаюгци.; устройсть.

Известны элеме1ггы памяпгli иа тонкой цилиндрической пленке, нанесенной на диэлектрическую подложку.

Известные элементы памяти такого типа изготавливаются либо методом вакуумного напыления на стеклянные трубки, либо методом электролитического осаждения на проволоку из проводящего материала. Применяется и комбинированный метод, заключаю(цийся в том, что на подло>кку каким-либо способом, например вакуумным 11ли кимическим, наносится металлический подслой, а затем электролитическим способом осаждается тонкая магнитная пленка.

Предложенный элемент отличается тем, что сама пленка служит шиной записи вЂ” считывания. Это позволяет упростить элемент памяти.

Предложенный элемент памяти изобра>кен на черте>ке.

Он выполнен на цилиндрической тонкой магнитной пленке 1, нанесенной на сплошную диэлектрн 1еску10 подлОжку 2. В ка IccTHc IllIIilhl считывания вЂ” записи в эточ элементе использустс51 cама магнигиая 11пснка 1 илll металлический иодслой, При электролитическом способе нанесения пленок металлический подслой служит шиной для возбуждения циркулярного поля. В случае же вакуум)и>го 112111,Iления пленок анизотропные свойства созда1отся меканическим способом.

jQ Предложенный элемент памят11 отличаетc>1 простотой конструкции и гекнологии изгoTQBления, так как не требует дополнительной прошивки подложки гокоцесущими проводами, С другой стороны, изготовление спло1пнык ди15 электрическик подложек пр01де и rei!!o:Ion«1нее, чем полык.

Предмет изобретения

Элсмент памяти на тонкой цилиндрической

20 пленке, нанесенной Hà диэлектрическуlî подложку, отлача1ощаася тем, что, с целью упрощения элемента, сама пленка служит 1ииной записи вЂ считыван.

264466

Составитель А. А. Соколов

Текрсд 1 . т1. Курилко

Редактор Б. С. Нанкина

Корректор A. М. Глазова

Типография пр. Сапунова, 2

Заказ 1506 13 Тир век 501 Подписное

ЦНИИПИ 1(огиитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров CCCP

Москва 7К-35, Раушская паб., д. 4/5

Элемент памяти // 262972

Устройство для изготовления проволочных подложек цилиндрических магнитных пленок // 262831

Патент 259432 // 259432

Способ изготовления пленочных магнитных матриц // 259158

Способ изготовления магнитопроводов // 257633

Способ изготовления пленочных магнитныхматриц // 251713

Ля библиотека // 251007

Способ изготовления ферритовых пленочиых элементов памяти // 245179

Способ изготовления тонкопленочных элементовпамяти // 244398

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)