Трица памяти

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2692IS

Со1оа Советских

Социалистических

Республик

Зависих1ое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 04.111.1969 (¹ 1324184/18-24) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 17.1V.1970. Бюллетень ¹ 15

Дата опубликования оп,:1сания 8.IX.1970

Ь;л. 21ат, 37/60

Комитет по делам иаобретений и открытий при Сосете Мииистрое

СССР

МПК G 11c 11/14

УДК 681.327.66(088.8) /т вторы изобретения В. В. Дубровский, Е. В. Бурнин, В. М. Терехов и В. М. Красильников

Заявитель ь «МЛТРИЦЛ ПЛМЯТИ

Изобретение относится к области запоми11 a!olla! Ix устройств.

Известны конструкции запоминающих матриц, в которых элементы памяти герметпзируют путем заливки разного рода материалаi! II. При этом предполагается непосредственный контакт заливочного материала и ферромагнитной пленки.

Однако при отверждении заливочного материала происходит усадка последнего, в результате чего в пленке возникают механические напряжения, приводящие к ухудшеншо магнитных свойств элемента памяти; несоответствие температурных коэффициентов расширения ферромагнитной пленки и заливочного материала также гриводит к появлению механических напряжений в пленке при изменении температуры охлаждающей среды, ITo существенно ухудшает рабочие характеристики запомина1ощей матрицы.

Известна матрица памяти. содержащая основание с отверстиями и магнитные пленки, нанесенные на цилиндрические подложки с

l прявляlощпми шинами.

В этой матрице подложки с нанесенной на них ферромагнитной пленкой помещаются в специальные отверстия в основан1ш матрицы.

Однако надежная герметизация и возмож-!

IocTb зя мены элементов памяти В ел чяе ьыходя пх из строя исключают друг друга, поскольку герметизация предполагает заливК1 Всех 311зоров межд1 элeмcнтями и отверстиями матрицы; удаление элементов памяти после герметизации становится невозможным

5 без разрушения основания матрицы и элемента памяти; при отсутствии герметизации замена элементов памяти возможна, однако в этом случае в процессе эксплуатации элементы памяти подверга1отся вредному воздей10 ствшо окружающей среды (повышенной влажности, 1аров агрессивных жидкостей и пр.), что может привести к выходу устройства из строя.

Цель предлагаемого изобретения заклю15:ается в следующем: устранение влияния за. ливочного материала ня магнитные свойства ферромагнитной пленки и возможность замены в матрице элементов памяти после их герметизации без нарушения конструкции.

В предлагаемой матрице эта цель достигается 1утем помещения цилиндрической подложки, ня которую нанесена ферромагнитная пленка, в немагнитную диэлектрическую тон25 костенную трубку.

Концы трубок заливают компаундом, а сами опи помещаются в отверстия основания матрицы.

На фиг. 1 изображен элемент памяти с ши30 нами записн и съема сигнала..помещенныЙ

2 69218 в защитную трубку, без герметизации заливочным материалом; на фиг. 2 — герметизированный элемент памяти с шинами управления, обший вид в разрезе; на фиг. 3— основание матрицы с помещенными в него герметизированными элементами памяти; на фиг. 4 — основание матрицы с герметизированными элементами памяти в разрезе (разрез дан в плоскости адресных шин).

Элемент памяти, состоящий из подложки 1, представляющей собой либо проволоку, либо диэлектрическую. труоку, и ферромагнитной пленки 2, осажденной па этl подложк, помещен в диэлектрическую немап!итную трубку 8. Внутренний диаметр трубки 8 несколько больше наружного диаметра подлоя ки с ферромагнитной пленкой. Длина подложки превосходит длину защитной трубки на величину, определяемую конструкцией матрицы. Участки подложки с ферромагнитной пленкой, выступающие из пределы защитной трубки, не используются для хранения информации. Если в качестве подложки используется проводяlllHH материал, TO CBhIQ шиной записи и съема сигнала. В случае использования диэлектрической подложки в виде трубки, последняя прошивается двумя управляюгцими шинами 4 и 5, одна из которых является шиной записи, другая — шиной съема сигнала.

Выступающие концы подложки и торцы защитной трубки залиты эластичным заливочным материалом б (см. фиг. 2).

Герметизированные элементы памяти с уп5 равляющпми шинами 4 и 5 помещены в отверстия 7 основания 8 матрицы, как показано на фиг. 3. Основание матрицы выполнено пз изоляционного материала и армировано адресными шинами 9 таким образом, что от10 перстня основания совпадают с отверстиями адресных шин (фиг. 4).

Концы шин записи, съема сигнала и адреса присоединены к контактному обрамлению матрицы. Б случае выхода из строя элемента

15 памяти замена последнего не вызывает затруднений, поскольку после отсоединения шин

4 и 5 записи и сьема сигнала от контактного обрамления герметизированный элемент памяти легко извлекается из основания и заме20 няется годным.

Предмет изобретения

Матрица памяти. содержащая основание с отверстиями и магнитные пленки, нанесенные

25 па цилиндрические подпои;ки с 1правля!ощими шипами, отлича!оаэи,гся тем, что, с целью герметизации и возможности замены пленок, подложки с пленками помещены в диэлектрические немагнитные трубки, концы трубок за30 литы компаундом, а сами трубки помещены в отверстия основания матрицы.

9 иг.2

Фие. 4

Tиг. 1

Составитель А. А. Соколов

Техред А. А. Камышннкова Корректор Е. В. Фомина

Реликт< р Б. Нанкииа

Заказ 2396jl1 Тираж 480 Подписное

11НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4 5

Ти погр афия, пр. Сапунова, 2

Трица памяти Трица памяти Трица памяти 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх