Пластина памяти

Авторы патента:

G11C5/02 - Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L 27/108-H01L 27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K 17/00)

G11C11/06 - с одним отверстием, например кольцевых сердечников; пластин с несколькими отверстиями, каждое из которых образует элемент памяти

27I583

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союа Советских

Социалистических

Респуйлик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21ат, 37/04

Заявлено 03.1Ч.1969 (№ 1317384/18-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 26.Ч.1970. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания З.IX.1970

МПК 6 11с 5/02

G 11с 11/06

УДК 681.327,66 (088.8) Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров

СССР

ПЛАСТИ НА ПАМЯТИ

Пластина памяти состоит из керамической подложки 1, на поверхность которой наносят псликристаллическую ферритовую пленку 2.

В пленке и пластине посредством ультразвука прошивают сквозные отверстия 8. Между подложкой 1 и пленкой 2 в процессе ее нанесения образуется переходной слой 4, состоящий из взаимно диффундирующих ионов подложки и пленки. Наличие этого слоя способствует хорошей адгезии пленки к подложке и лучшим условиям теплопереноса при локальном разогреве запоминающей ячейки во время работы.

Увеличение толщины стенки феррптового сердечника способствует большей устойчивости работы запоминающего элемента по отношению к колебаниям управляющих токов.

Пластина памяти, содержащая керамическую плату с отверстиями, отлачающаяся тем, что, с целью повышения устойчивости работы пластины памяти, на керамическую плату нанесена тонкая плоская ферритовая поликристаллическая пленка с переходным слоем между ними.

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известна пластина памяти, содержащая керамическую плату с отверстиями, в которых установлены ферритовые тороиды. Работа запоминающего элемента известной пластины памяти малоустойчива (сохранение информа,ции при изменении управляющих токов), что обусловлено малой толщиной стенки тороида, образованного ферритовой пленкой на 10 внутренней поверхности отверстия подложки.

При изменении управляющих (числовых) токов радиус зоны, в которой хранится информация, меняется, и при увеличении токов эта зона может вообще выйти за пределы тороида. 15

Целью предлагаемого изобретения является увеличение устойчивости работы запоминающего элемента при сохранении малых управляющих мощностей прототипа. 20

Согласно изобретению, поставленная цель достигается тем, что на пластину, выполненную в виде керамической подложки, наносят поликристаллическую ферритовую пленку. 2S

Сущность изобретения поясняется чертежом.

Предмет изобретения

271583

2 ч

Редактор Б. С. Нанкина Составитель А. А. Соколов Корректор Л. С. Веденеева

Заказ 2399/4 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская паб., д. 4;5

Т> нография, пр. Сапунова, 2