Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей и конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L31-H01L47,H01L51 имеют преимущество и способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L21 и конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L23 и приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L27 и резисторы (H01L29)

H01 Основные элементы электрического оборудования(4684)

H01L29 Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L31-H01L47,H01L51 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L21; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L23; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L27; резисторы(72)

H01L29/40 - Электроды(1)

H01L29/70 - Биполярные приборы(1)

H01L29/72 - Приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы(6)

H01L29/73 - Биполярные плоскостные транзисторы(4)

H01L29/737 - Гетеротранзисторы(4)

H01L29/74 - Приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией(13)

H01L29/744 - С выключением приборов по управляющему электроду(1)

H01L29/772 - Полевые транзисторы(4)

H01L29/775 - С каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения одной полярности, например квантуемый по проводам полевой транзистор(1)

H01L29/78 - С полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора(2)

H01L29/812 - С затвором типа барьера шотки(2)

H01L29/84 - Управляемые только изменением приложенных механических усилий, например изменением давления (H01L29/96 имеет преимущество)(4)

H01L29/86 - Управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток (H01L29/96 имеет преимущество)(6)

H01L29/861 - Диоды(4)

H01L29/92 - Конденсаторы с потенциальным барьером, на котором имеет место скачок потенциала, или с поверхностным барьером(2)

H01L29/93 - Диоды с регулируемой емкостью, например варакторы(2)

Гетероструктурный полевой транзистор на основе нитрида галлия с улучшенной стабилизацией вольт-амперной характеристики // 154437

Полезная модель относится к области радиотехники и электроники. .

Конструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона // 153274

Полезная модель относится к области метаматериалов оптического диапазона длин волн и может быть применена для создания искусственных материалов, изменяющих характеристики в оптическом диапазоне длин волн.

Мдп варикап с отрицательным зарядом // 151768

Мощный полупроводниковый импульсный тиристор // 148671

Полезная модель относится к силовой полупроводниковой электронике и может быть использована в конструкциях биполярных переключателях с S-образной характеристикой, т.

Полупроводниковый тензорезистор // 146089

Наклеиваемый полупроводниковый тензорезистор // 145768

Суперконденсатор // 142031

Полезная модель относится к области энергетики, в частности, к суперконденсаторам - энергонакопительным приборам на основе оксидов переходных металлов.

Тиристор с самозащитой от пробоя // 140727

Полезная модель относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно, к конструкции тиристоров с электрическим управлением.

Псевдоморфный гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор // 140462

Полезная модель относится к электронной технике. .

// 140005

Полезная модель относится к области электронной техники, в частности, к конструкции чипов высоковольтных диодов Шоттки на основе карбида кремния, и может использоваться в импульсных преобразователях электроэнергии в составе силовых высоковольтных диодно-транзисторных модулей.

Полупроводниковая наногетероструктура inalgaas/inalas/inas метаморфного буферного слоя на подложке арсенида галлия // 139673

Полезная модель относится к полупроводниковым наногетероструктурам InAlAs/InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов типа МНЕМТ (metamorphic high electron mobility transistor), используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем миллиметрового диапазона длин волн.

Мощный полупроводниковый прибор с повышенной коммутирующей способностью // 138027

Мощный полупроводниковый биполярный переключающий прибор // 136924

Устройство отличается от аналогов тем, что части базовых и эмиттерных шин, входящих в его состав, размещены над эмиттерными и базовыми полосами, покрытыми изолирующим слоем..

Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор // 136238

Полезная модель относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний.

Псевдоморфный гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор // 135182

Мощная полупроводниковая структура // 133974

Полезная модель относится к полупроводниковой электронике и может быть применена в конструкциях мощных полупроводниковых приборов.

Мощный биполярный свч транзистор // 132257

Полезная модель относится к области конструирования и производства мощных СВЧ транзисторов.. .

Высоковольтный полупроводниковый диод с резким обрывом обратного тока // 131532

Мощный транзистор свч // 129299

Мощный биполярный свч-транзистор // 128009

Наклеиваемый полупроводниковый тензорезистор // 127515

Дмоп транзистор // 127514

Биполярный транзистор на основе гетероэпитаксильных структур // 127250

Наноразмерная структура с квазиодномерными проводящими нитями олова в решетке gaas // 126511

Полезная модель относится к наноразмерным полупроводниковым структурам, содержащим систему квазиодномерных проводящих каналов, используемых для изготовления приборов наноэлектроники и нанофотоники.

Биполярный транзистор на основе гетероэпитаксильных структур // 124048

Диод шоттки с канавочной структурой // 122204

Тиристор // 118795

Силовой беспотенциальный модуль // 117039

Силовой высоковольтный полупроводниковый штыревой прибор // 115564

Варикап // 114807

Полупроводниковая наногетероструктура со ступенчатой квантовой ямой algaas/gaas/ingaas/gaas/algaas на подложке gaas с комбинированным легированием // 113072

Полупроводниковая наногетероструктура in0.52al0.48as/inxga1-xas c составной активной областью in0.53ga0.47as/inas/in0.53ga0.47as/inas/in0.53ga0.47as c двумя вставками inas // 113071

Выпрямительное устройство для транспортного средства // 112506

Полезная модель относится к электрооборудованию транспортных средств, в частности, к силовым полупроводниковым выпрямительным устройствам для транспортного средства, например, тепловоза.

Полупроводниковая наногетероструктура inalas/ingaas с метаморфорным буфером // 111353

Полезная модель относится к полупроводниковым МНЕМТ (metamorphic high electron mobility transistor) наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями.

Полупроводниковая метаморфная наногетероструктура inalas/ingaas // 111352

Двухфазный прибор с зарядовой связью // 110545

Силовой беспотенциальный модуль // 109919

Корпус фототиристора с волоконно-оптическим узлом запуска // 108690

Изобретение относится к конструкции корпуса фототиристора и других полупроводниковых приборов таблеточного исполнения с оптическим управлением (фотосимисторов, фототранзисторов и др.).

Эпитаксиальная структура с широкозонным инжектором для полевых транзисторов // 106442

Инверсионная эпитаксиальная структура для полевых транзисторов // 105781

Силовой высоковольтный диод штыревого типа // 103232

Мдп-варикап // 102845

Диодный переключатель свч мощности // 102844

Изобретение относится к технике СВЧ, в частности к переключателям СВЧ мощности и может быть использовано для переключения СВЧ сигналов между каналами приема (передачи) в СВЧ приемниках (передатчиках).

Мдп-диод // 100335

Мощный тиристор с повышенной помехоустойчивостью // 100334

Мдп-варикап с переносом заряда // 100333

Полупроводниковое переключающее устройство // 97006

Оптронный тиристор // 95901

Полупроводниковый ключ с повышенной стойкостью к скорости нарастания анодного тока // 94764

Силовой оптронный тиристор // 94382

2548937.