Мощный биполярный свч транзистор
Использование: полезная модель относится к области конструирования и производства мощных СВЧ транзисторов. Техническим результатом полезной модели является возможность создания широкополосного мощного биполярного СВЧ транзистора с цепями, подавляющими паразитные поперечные колебания. Сущность полезной модели: в мощном биполярном СВЧ транзисторе, включающем транзисторные кристаллы, расположенные на коллекторном электроде, разделенном на секции, последовательно соединенные друг с другом проволочными проводниками через резисторы, на коллекторном электроде отсутствуют дополнительные элементы, при этом резисторы сформированы на эпитаксиальной области транзисторных кристаллов. 1 независимый пункт, 1 рисунок.
Полезная модель относится к области конструирования и производства мощных СВЧ транзисторов.
Известен мощный СВЧ транзистор (US 6 181 200 B1), включающий транзисторные кристаллы, расположенные на едином коллекторном электроде. Недостатком указанной конструкции является ограничение на длину расположения транзисторных кристаллов, связанное с возникновением паразитных поперечных колебаний.
Известен мощный СВЧ транзистор (патент 
2226307), включающий транзисторные кристаллы, расположенные на разделенном на секции коллекторном электроде. При этом на коллекторном электроде дополнительно располагаются кристаллы с резистором, последовательно соединенные друг с другом. Такая конструкция позволяет подавлять паразитные поперечные колебания.
Недостатком указанной конструкции является сужение рабочей полосы частот, связанное с увеличением выходных базовых проволок вследствие наличия на коллекторном электроде дополнительных кристаллов с резистором.
Техническим результатом полезной модели является возможность создания широкополосного мощного биполярного СВЧ транзистора с цепями, подавляющими паразитные поперечные колебания.
Технический результат достигается тем, что в мощном биполярном СВЧ транзисторе, включающем транзисторные кристаллы, расположенные на коллекторном электроде, разделенном на секции, последовательно соединенные друг с другом проволочными проводниками через резисторы, на коллекторном электроде отсутствуют дополнительные элементы, при этом резисторы сформированы на эпитаксиальной области транзисторных кристаллов.
В такой конструкции не происходит расширения коллекторной площадки и, следовательно, увеличения длины выходных базовых проволок, что является реальным ограничением достижимой полосы рабочих частот.
Новизна предлагаемой полезной модели заключается в том, что конструкция транзистора, реализующая соединение секций разделенного на них коллекторного электрода без размещения на коллекторном электроде дополнительных элементов, неизвестна.
Предполагаемое техническое решение имеют изобретательский уровень, так как сочетание новых признаков с уже известными не явно для специалиста.
Технико-экономическая эффективность предлагаемой полезной модели заключается в улучшении частотных параметров транзисторов.
Предложенные варианты конструкции:
На рис.1 транзисторные кристаллы 1 располагают на коллекторном электроде, разделенном на секции 2. Резисторы 3, сформированные на коллекторной эпитаксиальной области транзисторных кристаллов, соединены друг с другом проводниками 4.
Пример конкретной реализации предлагаемой полезной модели.
Мощные СВЧ транзисторы были собраны в корпусе, включающем четыре транзисторных кристалла, размещенных в двух секциях. Величина одного резистора - 3 Ом. Ширина коллекторной площадки - 1 мм.
При такой реализации достигнута полоса рабочих частот 1.10-1.40 ГГц по уровню выходной мощности 180 Вт.
При сборке такого транзистора с размещением резисторов на отдельных кристаллах при ширине коллекторной площадки - 1.6 мм достигается полоса рабочих частот 1.15-1.35 ГГц по уровню выходной мощности 170 Вт.
Мощный биполярный СВЧ транзистор, включающий транзисторные кристаллы, расположенные на коллекторном электроде, разделенном на секции, последовательно соединенные друг с другом проволочными проводниками через резисторы, отличающийся тем, что на коллекторном электроде отсутствуют дополнительные элементы, при этом резисторы сформированы на эпитаксиальной области транзисторных кристаллов.
