Гетеротранзисторы (H01L29/737)

Полупроводниковая наногетероструктура inalgaas/inalas/inas метаморфного буферного слоя на подложке арсенида галлия // 139673

Полезная модель относится к полупроводниковым наногетероструктурам InAlAs/InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов типа МНЕМТ (metamorphic high electron mobility transistor), используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем миллиметрового диапазона длин волн.

Полупроводниковая наногетероструктура со ступенчатой квантовой ямой algaas/gaas/ingaas/gaas/algaas на подложке gaas с комбинированным легированием // 113072

Полупроводниковая наногетероструктура inalas/ingaas с метаморфорным буфером // 111353

Полезная модель относится к полупроводниковым МНЕМТ (metamorphic high electron mobility transistor) наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями.

Полупроводниковая метаморфная наногетероструктура inalas/ingaas // 111352

Полезная модель относится к полупроводниковым МНЕМТ (metamorphic high electron mobility transistor) наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями.