Патент ссср 293268

О П И С А Н И Е 293268

ИЗОЫ ЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Со!оз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 19,Ч11.1965 (№ 967346/18-24}.ЧПК G 11с 11/14 с присоединением заявки ¹

Приоритет

Комитет по делам ивебретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 15.1.1971. Бюллетень М 5

Дата опубликования описания 11.III.1971

УДК 681.327.66 (088.8) Авторы изобретения

:: t.

И. С. Яцкевич, А. М. Райтаровский, A. М. Ленивцев, Г. Ф. k àl è!! и С. Н. Погодина

Заявитель

ПОДЛОЖКА ДЛЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГHHTHbIX ПЛЕНОК

Изобретение относится к области вычислительной техники и, в частности, к области запоминающих устройств.

Известны цилиндрические магнитные пленки с подложками, выполненными в виде стеклянных цилиндров или в виде проволоки из проводниковых материалов.

Однако такие магнитые пленки имеют плохие электрические параметры, а технология их получения слоукна.

В описываемом изобретении это устраняется применением литого микропровода в стеклянной изоляции в качестве подложки для производства цилиндрических магнитных пленок.

Это улучшает параметры пленок и упрощает технологию их получения.

Тип и ка lccTI30 поверхности подложки имеют первостепенное зн",÷åíèå для получения качественных пленок. Подложками для цилиндрических магHIITIII:!х пленок обычно служат полые стекляшпле цилиндры или проволока 13 проводпикозых материалов (медь, медь †берилл, берпллиевая бронза и т. п.).

Поверхность стеклянных подложек имеет, как правило, более высокий класс чистоты, чем поверхность тя:;утого провода. Это позволяет использовать вакуумные методы нанесения тонких магнитных пленок (Т. 1П).

При нанессьп1и магнпгых !!л IIQK на цилипдрllческие !1роводниковые подложки испОльзуется обычно метод элсктрохимического осаждения.

Пленки, получепи1:!с вакуумными методами на стеклянных подложках, отличаются более совершенной структурой и большей плотностью. Вакуумным: метода .!è можно получить болес тонкие качественные пленки, обладающие большим быстродействием и меньшими потерями.

В то же время при использовании цилиндрических проводнпковых подло,кек появляется дополнительное технологическое преимущество, тяк как В этОм сл 1 яе подложка Выполняст определенные электрические функции.

Например. при нанесении пленки через проводник пропускяегся ток для получения циркулярной оси легкого намагничивания, подложка служит проводником зяп;!сп-считыва-!

Пия в элементах запом 1!!я!О1ц;!х устройств пл.l проводником гозбуждепия в параметро!!ЯХ.

В случае подложек — стеклянных полых цилиндров для тех же целей нужно пропуcкять ви трп подложек п1!Оводнп! и, что требуетт дополнительно ; трудоемкой технологической операции. Кроме того, м:нпмальный диаметр стеклянных цилиндр!Пческпх подложек ограничен величиной 0.3 .!!.н вследстзпе техно293268

Б = 0,4 1/ d(a/c.u), 25

Предмет изобретения

Составитель В. M. Щеглов

Редактор Б. С. Нанкнна Техред А, Я. Левина Корректор Г. С. Мухина

Заказ 526/13 Издат. ¹ 240 Тираж 473 Подписное

ИНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, К-35, Раушская наб., д, 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 логических трудностей прошивки пх проводниками. (минимальный диаметр проводниковых подложек в существующих элементах электронной техники составляет 0,05—

0,15 л,и).

Предлагается использовать в качестве подложки при получении цилиндрических магнитных пленок литой провод в стеклянной изоляции. Отечественная мпкрометаллургия и микротехнологпя имеют приоритет в получении этого провода, находящего в настоящее время все более широкое применение в различных областях электронной техники.

Выбор технологического процесса и качества исходного материала позволяет получать такой провод с высокой чистотой поверхности стеклоизоляции, удовлетворяющей требованиям, предьявляемым к повсрхностп подложек для ТМП.

Применение литого провода в стеклянной изоляции в качестве подложки при получении цилиндрических магнитных пленок даст положительный эффект благодаря сочетаншо преимуществ стеклянной подложки с технологичностью, присущей проводниковым подложкам. Кроме того, существенно уменьшается минимальный диаметр стеклянной подложки — до величин порядка десятков микрон.

В ряде случаев путем уменьшения диаметра пленки можно улучшить электрические параметры пздел;и, например снизить токи управле пя магнитным состоянием пленки, поскольку ток, и; отекающпй по про-о. 1ó, создает циркулярное (направленное по окруж ности) поле, обратно Ilðoïoðöèîïàëüèoå дпамстру пленки; где Π— циркулярное поле; 1 — ток; d — диаметр пленки.

Таким образом, использование провода в стеклянной изоляции в качестве подложки для ТМП позволит:

15 а) расширить область использования литого мпкропровода в стеклоизоляцпи;

0) получать маппппые пленки на стеклянных подложках значительно меньшего диаметра, чем используемые в настоящее время;

20 в) повысить технологи шость изготовления

ТМП на стеклянных подложках, устранив необхсдимость операции прошивки стеклянных цилиндров проводниками.

Применение литого микропровода в стеклянной изоляции в качестве подложки для производства цилиндрических ъ1агнитных пле30 но.", с целью улучшения параметров пленок и упрощения технологии пх получения.