Устройство для обработки поверхности

 

27I655

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 07.11,1968 (¹ 1215352/26-25) Е,л. 21g, 11/02 с присоединением заявки ¹

Приоритет

МПК H 01! 768

УДК 621,382.2/3 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 26Х.1970. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания 2бХ111.1970.

Авторы изобретения

«т еееназт тех ничества тека МБ

А. А. Карпушкина и В. Н. Макаров Зевс нтентнОЗаявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИСКОВ

Изобретение относится к оборудованию полупроводниковой промышленности и может найти применение для одновременной двусторонней обработки полупроводниковых дисков на таких технологических операциях, как ультразвуковые обезжиривание и отмывка, фотолитографические операции, травление, никелирование, при которых недопустимо соприкосновение дисков с инородными поверхностями.

Известные устройства не позволяют проводить двусторонней обработки дисков.

Предлагаемое устройство состоит из разрезного кольца, по внешнему диаметру которого выполнено ребро жесткости с диаметром, большим диаметра диска, и толщиной, меньшей толщины разрезного кольца, например в два раза; при этом вдоль ребра кольца симметрично разрезу выполнен сквозной паз шириной, равной толщине ребра жесткости, в который помещен клин с углом заострения в плоскости кольца, а ось клина совпадает с осью, противолежащей базовой опоры, тогда как две другие опоры кольца расположены симметрично этой оси под углом не более 90, вершина которого лежит в центре кольца.

Это обеспечивает усилие при зажиме диска с одновременным ограничением смятия поверхности опор.

На чертеже изображена конструкция держателя В рабочем положении.

Разрезное пружинное кольцо 1 имеет ребро жесткости по наружному диаметру для увеличения естественных пружинящих свойств материала, из которого выполнено кольцо (стойкпй к химическим агрессивным средам материал, например фторопласт-4).

Вдоль ребра симметрично разрезу выпол10 нен сквозной паз шириной, равнои толщине ребра жесткости. В паз вставлен клин 2 с углом заострения в плоскости кольца, причем ось клина совпадает с осью противолежащей базовой опоры 8 кольца, тогда как две другие

15 опоры располагаются симметрично этой оси под углом, не более 90, вершина которого лежит в центре кольца.

Для фиксации диска в держателе клин 2 перемещают по направлению к центру кольца

20 1, при этом кольцо разжимается. В этот момент диск помещается между базовыми опорами и фиксируется в этом положении снятием н с клина.

Держатель с диском направляется на ука25 занные операции для одновременной двустороннейй об р аботкп.

Предмет изобретения

Устройство для обработки поверхности по

30 лупроводниковых дисков, выполненное из

27р655

Составители В. Шведова

Редактор О. Кузнецова

Текред Л. Я. Левина Корректор В. Г. Трутней

Заказ 2357il7 Тираж 480 Подписное

ИНИИПИ Когпптета lo дедам изобретений It открытий прп Совете Министров СССР

Москва, >К-35, Раушская паб., д. 4j5

Типография, пр. Сапунова, 2 фторопласта, отличаюгиееся тем, что, с целью обеспечения усилия при зажиме диска с одновременным ограничением смятия поверхности опор, устройство состоит из разрезного кольца, по внешнему диаметру которого выполнено ребро жесткости с диаметром, большим диаметра диска, и толщиной, меньшей толщины разрезного кольца, например в два раза, при этом вдоль ребра кольца симметрично разрезу выполнен сквозной паз шириной, равной толщине ребра жесткости, в который помещен клин с углом заострения в плоскости кольца, а ось клина совпадает

5 с осью, противолежащей базовой опоры, тогда как две другие опоры кольца расположены симметрично этой оси под углом не более 90", вершина которого лежит в центре кольца.

Устройство для обработки поверхности Устройство для обработки поверхности 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх