Атентко- ..., техническая '" shbji00te[fa

 

О П И С А Н И Е 268542

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 04.Х.1965 (№ 1030384/26-25) Кл. 21е, 29, 02 с присоединением заявки ¹

ЧПК 6 01г

Приоритет

Опубликовано 10.IV.1970. Б!оллетень ¹ 14

Дата опубликования описан;!я 11 Л III. 1970

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.382-52:(621.317. . 33: 53.087.4) (088.8) АВТОМАТ ДЛЯ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ!Х

ПЛАСТИНОК ПО УДЕЛЪНОМУ СОПРОТИВЛЕНИЮ

Известны автоматы для разбраковки полупроводниковых пластинок по удельному сопротивлению, которые содержат мост переменного тока, два плеча которого являются колебательными контурами, генератор качающейся частоты, пиковый вольтметр и устройства сравнения.

Предложенный автомат отличается от известных тем, что одно из плеч моста является генератором самовозбуждения, контурная индуктивность которого представляет собой датчик, а сетка подключена к генератору линейно падающего напряжения. Другое плечо моста является усилителем на активных сопротивлениях, управляющий электрод которого подключен к конденсатору, подключенному к выходу блока автоподстройки нуля.

Эти отличия позволяют повысить точность измерения.

На чертеже изображена блок-схема автоматаа.

Одно из плеч моста постоянного тока 1 является генератором самовозбуждепия 2, контурная индуктивность которого представляет собой датчик — преобразователь 8. Усилитель

4 на активных сопротивлениях является вторым плечом моста. В его диагональ включен вход усилителя — ограничителя б. Выход блока автоподстройки нуля б подключен к конденсатору 7, включенному на вход усилителя 4. Выходы сравнивающего устройства 8 подключены и генератору линейно падающего напряжения 9 и генератору 1мп1льсов 10, выход которого подключен ко входу счетно-логического устройства 11. В схему входит также механизм коммутации 12.

Работает автомат следу1ощим образом.

Измеряемый кристалл вводится в зазор датчика 8, добротность которого падаег, вы10 зывая увеличение постоянной составля1ощей анодного тока. В результате этого в диагонали моста 1 протекает постоянный ток разбаланса, велич1ша которого обратно пропорциональна удельному сопротивлсншо. Ток разба15 ланса усиливается и ограш1чпвается усилителем-ограничителем 5 и огкрьшает сравнивающее устройство 8, определяя действие компенсирующего напряжения с генератора 9 линейно падающего напряжения, которое по20 дается на сетку генератора 2 и уменьшает ток разбалапса до уровня, постоя!шо установленного на сравниваюисем устройстве 8.

В момент 1 омпенсацпи TOKB pазбалянса сравнивающее устройство закрывается. I la

25 его выходе образуется импульс, длительность которого обратно пропорциональна удельному сопротивлению. Этот импульс запускает генератор импульсов 10, определяя серию импульсов, число которых пропорционально длптель30 ности.

268542

Типография, пр. Сапунова, 2

Серия импульсов сравнивается по числу импульсов в счетно-логическом устройстве 11 с заложенной в него программо"; сигнал сравнения направляет кристалл в соответствующий бункер.

После вывода кристалла из зазора сигнал разбаланса моста (сигнал временной нестабильности) подается в блок автоподстройки б, вызывая заряд конденсатора 7 до напряжения, величина и знак которого обратно пропорциональны сигналу разбаланса. Напря>кение с конденсатора, поданное на вход усилителя 4, приводит мост перед измерением каждого кристалла в исходное состояние.

Через каждые 23 цикла измерения через контакт на усилитель подается эталонный сигнал, соответствующий минимальному удельному сопротивлению, для проверки правильности работы автомата.

Предмет изобретения

Автомат для разбраковки полупроводниковых пластинок по удельному сопротивлению

Г ! ! ! ! ! ! .

)! ! !! !! !! !! !! ! (с использованием преобразования величины удельного сопротивления в число импульсов, содержащий датчик в виде тороидального сердечника с зазором, в который устанавливается измеряемая пластинка, мост постоянного тока, блок автоподстройкп нуля, сравнивающее устройство, генератор линейно падающего напряжения, генератор импульсов и счетнологическое устройство, отлачсс ощий ся тем, что, с целью увеличения точности измерения, одно из плеч моста выполнено в виде генератора самовозбуждения, контурная индуктив15 ность которого представляет собой датчик, а сетка подключена к генератору линейно падающего напря>кения, другое плечо моста выполнено в виде усилителя на активных сопров тивлениях, управляющий электрод которого подключен к конденсатору, подключенному к выходу блока автоподстройки нуля.

Редактор Б. Б, Федотов Техред Л. В. Куклина

Корректор Г. И. Тарасова

Заказ 2188,.2 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Мнниссров СССР

Москва, >К-35, Раушская наб., д, 4/5

Атентко- ..., техническая shbji00te[fa Атентко- ..., техническая shbji00te[fa 

 

Похожие патенты:

Тиристор // 252482

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх