Устройство для измерения электропроводности полупроводниковых материалов

 

ИСАНИ

247466

Оll Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Соеетских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 09.VIII.1968 (№ 1262173/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 04.VI I.1969. Бюллетень № 22

Дата опубликования описания I.XII.1969

Кл. 2!е, 37/03

МПК G 01г

УДК 620.1(088.8) Комитет по делам изобретеиий и открытий при Сосете Мииистрое

СССР

Авторы изобретения

И. С. Левитас, Л. М. Могильницкий, Ю, К. Пожела и А. П. Сащук

Институт физики полупроводников АН Литовской ССР

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

1 1зобрете1тие относится к измеритеЛьной технике.

Известны устройства для измерения электропроводности полупроводникового материала, содержащие трансформатор, вторичной обмоткой которого является образец, выполненный из исследуемого материала в виде замкнутого кольца.

С целью увеличения чувствительности и точности измерения, предлагаемое устройство содержит компенсирующий трансформатор, первичной обмоткой которого служит образец из исследуемого материала; питающий трансформатор снабжен дополнительной обмоткой, связанной через переменный резистор с компенсирующей обмоткой, установленной на компенсирующем трансформаторе, вторичная обмотка которого замкнута на измеритель электрического тока.

На чертеже изображена схема описываемого устройства, содержащего питающий трансформатор 1, образец 2, компенсирующий трансформатор 8 и нулевой индикатор 4.

Трансформатор 8 имеет компенсирующую обмотку 5, подключенную к дополнительной обмотке б трансформатора 1 через переменный резистор 7. Образец 2 является вторичной обмоткой трансформатора 1 и первичной обм откой тр анс форм атор à 8.

Напряжение, поданное на первичную обмотку трансформатора 1, индуцирует э.д.с. в образце 2, которая создает в нем ток, вызывающий во вторичной обмотке трансформатора 3 э.д.с. Эта э.д.с. компенсируется током, прохощим через обмотку Б, включенную в противофазе, обмотку б и переменный резистор 7. Резистор 7 устанавливается так, чтобы во вторичной обмотке трансформатора 3 отсутствовал ток, Величина сопротивления резистора

10 7 соответствует величине сопротивления образца 2.

Устройство позволяет измерять электропроводность материалов собственной проводимостью с точностью до четвертого знака и ре15 гистрировать величину тока, в 107 .раз меньшую тока первичной обмотки питающего трансформатора. Устройство пригодно для контроля технологических процессов производства полупроводниковых материалов и по20 лупроводниковых приборов.

Предмет изобретения

Устройство для измерения электропроводности полупроводниковых материалов, содержа25 щее питающий трансформатор, вторичной об моткой которого является образец, выполненный из исследуемого материала в виде замкнутого кольца, отличающееся тем, что, с целью увеличения чувствительности и точно30 сти измерения, оно содержит компенсирующий

247406.-.

Составитель Г. Д. Петрова

Техред Т. П. Курилко Корректоры: В. Петрова и Е Ласточкина

Редактор Т. 3. Орловская

Заказ 3191/3 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 трансформатор, первичной обмоткой которого служит образец из исследуемого материала, питающий трансформатор снабжен дополнительной обмоткой, связанной через переменный .резистор с компенсирующей обмоткой, установленной на компенсирующем трансформаторе, вторичная обмотка которого замкнута на измеритель электрического тока.

Устройство для измерения электропроводности полупроводниковых материалов Устройство для измерения электропроводности полупроводниковых материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх