Техническая 'wви8лйоте/аа. с. лисин

 

Секта Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства _#_

Заявлено 14Х11.1967 (Л% 1173117/18-10) с присоединением заявки Мо

Приоритет

Опубликовано 12ХП1.1969. Бюллетень че 26

Дата опубликования описания 8.1.1970

Кл, 21@, 11/02

МПК G Оlг

УДК 53.089.4 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Автор изобретения

А. С. Лисин

Заявитель

СПОСОБ ЗОНДОВОГО ИЗМЕРЕНИЯ ПАДЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО

НАПРЯЖЕНИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МАТЕРИАЛЕ

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно, к зондовым методам измерения параметров полупроводников.

Известны зондовые способы измерения падения переменного напряжения на полупроводниковом материале при определении удельного сопротивления, в которых измерительное устройство не потребляет тока.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что потенциал первого зонда приводят к нулю, фиксируют этот потенциал, затем приводят потенциал второго зонда к нулю и измеряют искомый разностный потенциал.

Эти особенности позволяют повысить точность измерения.

Схема устройства для реализации данного способа показана на чертеже.

Схема содержит генератор 1, конденсаторы

2 — 6, токовые зонды 7, потенциальные зонды 8, потенциометр 9, вольтметр 10 и переключатель 11.

Устройство работает следующим образом.

Питание осуц,ествляется от генератора 1 с заземленной средней точкой с помощью делителей напряжения, одним из которых регулируют ам плитуду (конденсаторам и 2 или т), другим — фазу (конденсатором 4). Регулировка должна обеспечивать настройку на потенциал земли (нулевой потенциал) каждого потенциального зонда. При такой настройке потенциал полупроводника под зондом также будет иметь по1енциал земли. Измерение осуществляется с помощью регулируемого делителя напряжения, составленного из кондепса5 торов 6, 6 и потенциометра 9.

В положении «а» переключателя 11 регулировкой напряжения питания схемы потенциал первого зонда настраивают на нуль с помощью вольтметра 10, затем в положении «в»

10 переключателя 11 регулировкой делителя (6, 6, 9) приводят к нулю потенциал средней точчи делителя, тем самым фиксируют потенциал зонда. В положении «о» переключателя

11 регулировкой напряжения питания схемы

15 настраивают на нуль потенциал второго зонда, после чего в положении «в» переключателя производят непосредственное измерение вольтметром 10 потенциала средней точки делителя, который и является искомой величиной.

Предмет изобретения

Способ зондового измерения падения переменного напряжения на полупроводниковом материале при определении удельного со25 противления, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, потенциал первого зонда приводят к нулю, фиксируют этот потенциал, затем приводят потенциал второго зонда к.нулю и измеряют искомый раз.

30 ностный потенциал.

250321

Составитель В. A. Скоморохов

Редактор С. И. Хейфиц Техред Л. К. Малова Корректор Л. В. Юшина

Заказ 3627/8 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва К-35, Раушская наб., д. 4i5

Типография, пр, Сапунова, 2

Техническая wви8лйоте/аа. с. лисин Техническая wви8лйоте/аа. с. лисин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх