Устройство для измерения распределения легирующей примеси по толщине полупроводника

 

Оп ИСА

НИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

24О853

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 04Х11.1967 (№ 1168827/26-25) с присоединением заявки М

Приоритет . Опубликовано 01.IV.1969. Бюллетень М 13

Дата опубликования описания 4.IX.1969

1хл. 21g, 11/02

МПК Н 011

УДК 621.382.002 (088.8) Квинтет пс делам изооретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

В. С. Пантуев, А. Ф. Волхов и К. А, Лукьянов

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ

ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ ПО ТОЛЩИНЕ ПОЛУПРОВОДНИКА

Изобретение относится к устройствам для измерения параметров полупроводниковых материалов.

Известно устройство для измерения распределения легирующей примеси по толщине полупроводника, содержащее генератор линейно нарастающего напряжения смещения, генератор высокой частоты, манипулятор для подключения и закрепления измеряемого образца полупроводника и электроннолучевой осциллоскоп. Полученную осциллограмму подвергают графической обработке для вычисления концентрации примеси в зависимости от глубины.

Недостатками известного устройства являются длительность и трудоемкость процесса обработки осциллограмм для вычисления значений концентрации, а также пониженная точность измерении вследствие ручного способа обработки осциллограмм.

Предлагаемое устройство отличается тем, что, с целью ускорения измерений, к выходу манипулятора подключены соединенные последовательно резонансный фильтр, линейный и квадратичный усилители. Выход последнего соединен со входами нижнего и верхнего пороговых дискриминаторов, входы которых подсоединены, кроме того, к генератору порогов, а выходы — к электроннолучевому осциллоскопу для управления яркостью луча и запуском развертки. Вход усилителя горизонтального отклонения луча в осциллоскопе подсоединен через детектор к выходу линейного усилителя. К детектору подключен также

Х-усилитель двухкоординатного самописца, Y-усилитель которого через преобразователь

«время — амплитуда» подсоединен ко входам верхнего и нижнего пороговых дискриминаторов.

l0 На чертеже изображена блок-схема описываемого устройства.

Генератор 1 напряжения смещения и генератор 2 высокой частоты соединены с исследуемым образцом 3 полупроводникового ма15 териала, помещенным в манипулятор 4. Напряжение высокой частоты, возникающее на образце после резонансного фильтра 5, через линейный усилитель б поступает одновременно на детектор 7 и на вход квадратичного уси20 лителя 8. Выход усилителя соединен со входами нижнего 9 и верхнего 10 импульсных дискриминаторов. Значения порогов дискриминаторов задаются генератором 11 напряжения порогов. Выходные сигналы дискримипа25 торов подаются на вход 12 электроннолучевого осциллоскопа 13 для управления запуском развертки и на вход 14 для управления модулятором яркости.

На вход 15 усилителя горизонтального от30 клонения луча в осциллоскопе поступают сиг-,=.240853

N, выраженной:

65 налы от детектора 7. Кроме того, сигнал от детектора 7,приложен к Х-усилителю 1б двухкоординатного самописца 17. Сигнал, генсрпрованный преобразователем «время — амплитуда» 18, управляемым дискриминаторами 9 и 10, приложен к У-усилителю 19 двухкоордпнатного самописца.

В данном устройстве напряжение U, обратно пропорциональное емкости С исследуемого р — и перехода, получается как функция напряжения смещения U

V = V(U)— с (U) и преобразуется в напряжение, пропорциональное а также в пары импульсов, время между которыми соответствует N.

От генератора 1 смещения к контактам исследуемого образца через резистор приложены импульсы линейно нарастающего напряжения смещения, повторяющиеся с частотой

1 кгц. Кроме того, к образцу подводится переменное напряжение от генератора 2 высокой (радио) частоты Upsin p?t через конденсатор, величина которого выбрана существенно меньшей любого возможного значения емкости исследуемого образца. Вследствие этого амплитуда U напряжения высокой частоты на образце обратно пропорциональна его емкости:

Контур резонансного фильтра 5, подключенный к образцу через небольшую емкость, служит фильтром для отделения сигнала высокой частоты от импульсов генератора смещения. Осциллограмма напряжения (Usin pt) на контуре представляет собой изображение высокочастотного сигнала, огибающая которого

1 есть функция — от U.

С

Последующие узлы прибора предназначе1 ны для получения из функции =1 (U)

dU dU величины а) в виде медленно меняющегося напряжения — для записи на самописец; б) в виде промежутков времени между двумя импульсами, пропорциональных N — для наблюдения на осциллоскопе.

Кроме того, с детектора 7 снимается напря1 жение Е, пропорциональное —, которое соответствует глубине х, на которой измеряется V.

20 г

К У-усилителю координаты самописца приложено напря?кение, пропорциональное Л, а к Х-усилителю — напря?кение Е. Самописец вычерчивает зависимость концентрации N от х в линейном масштабе.

Для наблюдения зависимости N(x) на осциллоскопе к Х-усилителю последнего приложено TBK?Ke напряжение Е.

Пластины вертикального отклонения подключены к генератору ждущей развертки.

Развертка запускается дискриминатором 9.

Сигнал от дискриминатора 10, имеющего более высокий порог, управляет «гашением» луча электроннолучевой трубки. При этом на экране в течение времени 5t между сигналами от дискриминаторов светится часть линии развертки, высота которой соответствует значениям концентрации N.

С каждым периодом развертки изменение порогов дискриминаторов вызывает некоторое смещение глубины х. Линия развертки соответственно с этим постепенно смещается .по оси Х. В момент начала развертки луч откло1 нен по х на величину, равную — в этот же

С момент. При многократном повторении процессов развертки на экране появляется ряд линий развертки различной высоты, образующий гистограмму функции N=N(x).

Пропорциональность времени Л1 и концентрации N обеспечивается благодаря тому, что пороги дискриминаторов 9 и 10 регулируются генератором 11 напряжения порогов так, чтобы при любом значении Е1 порога дискриминатора 9 порог Е> дискриминатора 10 превышал Е1 на одну и ту же постоянную величину ХЕ.

От периода к периоду генератора линейно нарастающего напряжения смещения величина порогов дискриминаторов немного меняется, постепенно проходя все соответствующие им значения. При однократном медленном смещении величины порогов величину Х удобно записывать на самописце.

При более быстрых изменениях порогов, при периодическом их повторении, всличину

N наблюдают на осциллоскопе.

Данное устройство найдет применение в полупроводниковой технике, Предмет изобретения

Устройство для измерения распределения легирующей примеси по толщине полупроводника, содержащее генератор линейно нарастающего напряжения смещения, генератор высокой частоты, манипулятор и электроннолучевой осциллоскоп, отличающееся тем, что, с целью сокращения времени измерений, к выходу манипулятора подключены соединенные последовательно резонансный фильтр, линейный и квадратичный усилители, выход последнего соединен со входами нижнего и верхнего пороговых дискриминаторов, входы кото240853

Составитель Г. Д. Петрова

Текред T. П. Курилко Корректор В. Л. Шошенская

Редактор Б. Б. Федотов

Заказ 1874/3 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 рых подсоединены, кроме того, к генератору порогов, а выходы — к электроннолучевому осциллоскопу для управления яркостью луча в осциллоскопе подсоединен через детектор к выходу линейного усилителя, кроме того, к детектору подсоединен Х-усилитель двухкоординатного самописца, У-усилитель которого через преобразователь «время — амплитуда» подсоединен ко входам верхнего и нижнего

5 пороговых дискриминаторов.

Устройство для измерения распределения легирующей примеси по толщине полупроводника Устройство для измерения распределения легирующей примеси по толщине полупроводника Устройство для измерения распределения легирующей примеси по толщине полупроводника 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх