Способ рихтовки выводов полупроводниковыхприборов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

258465

Союз Советских

Социалистических

Республик

Ъ т

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл. 21g, 1 1 j02

Заявлено 05.Ч.1968 (№ 1238534/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

МПК Н Oll

УД К 621.382.2/3 (088,8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано ОЗ.Xll.1969. Бюллетень № 1 за 1970 г.

Дата опубликования описания 17.IV.1970

Авторы изобретения

А. А, Равин, Б. П, Семенов и И, Я. Тэвит

3 аявитель

СПОСОБ РИХТОВКИ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Предмет изобретения

Известен апособ рихтовки выводов полупроводниковых приооров, например транзисторов, с помощью двух .наборов тонких пластин, количество которых в каждом наборе зависит от длины вывода.

Основными недостатками этого способа являются большое,количество трущихся элементов в наборе пластин,:сложность изготовления пар и:необходимость их точной подгонки.

Цель изобретения — обеопечение рихтовки выводов любой длины и повышение качества рихтовки.

Для этого вывод протягивают через две рихтующие пластины, одна из которых непод вижна, а другая вибрирует.

С пособ поясняется чертежом.

Выводы I транзистора;помещают в щечи, образованные неподвижной 2 и .подвижной

3 гребенками. Гребенка З,,приводимая в движение, например, от электромагнита, вибрирует,,постоBHIHO меняя сечение щелей и сжимая выводы. Шток 4 перемещает гнездо 5 с

Брибором в направлении рихтовки от места заделки выводов .к их концам.

Для продоттвращения натиров:на выводах приборов гнездо 5, в котором установлен корпус прибора, связано с тянущим штоком

4 через пружину, с .помощью которой во время контактирования гребенок с выводами гнездо останавливается, а шток продолжает

5 равномерно двигаться.

Скорость движения штока и толщина гребенок рассчитываются таким образом, что до момента соприкосновения гребенок с выводами шток проходит путь менее толщины:гре10 бенок для обеспечения рихтовки всех участков выводов.

Форма рихтующпх поверхностей гребенок выбирается в зависимости от формы и размеров сечения рихтуемых выводов.

Способ рихтовки выводов,полупроводнико20 вых приборов, например транзисторов, пластинами с рихтующими поверхностями по форме выводов, от.гичаюцийся тем, что, с целью обеспечения рихтовки вывода любой длины и повышения качества рихтовки, вы25 вод протягивают через две рихтующие:пластины, одной из которых сообщают вибрацию, а вторую закрепляют неподвижно.

258465

Составитель Н. Островская

Техред T. П. Курилко Корректор Л. А. Царькова

Редактор Т. Орловская

Типография, пр. Canунова, 2

Заказ 789/4 Тираж 499 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва K-35, Раушская наб., д. 4/5

Способ рихтовки выводов полупроводниковыхприборов Способ рихтовки выводов полупроводниковыхприборов 

 

Похожие патенты:

Тиристор // 252482

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх