Способ измерения добротности
ОПИСЛНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
2592I3
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 27.Ч.1968 (№ 1245046/26-25) с присоединением заявки №вЂ”
Пр.нор итет
Опубликовано 03.Ч1.1970. Бюллетень № 19
Дата опубликования описания 4.1Х.1970
Кл. 21b, 27/02
МПК Н 0!m
УДК 621.362.2(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Авторы изобретения
В. И. Бутырский и P. В. Ковальский
Заявитель
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ДОБРОТНОСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО УСТРОЙСТВА
Изобретение относится к области преобразования тепловой энергии в электрическую.
Известны способы измерения добротности термоэлектрических устройств, которые по изменению перепада температур при постоянном тепловом потоке в режиме холостого хода и короткого замыкания требуют заделки термопар в спаи термобатарей, что снижает надежность и точность способа измерения.
Описываемый способ отличается от известных тем, что в качестве параметра, характеризующего Z, выбрано отношение э.д.с. в указанных режимах.
В описываемом способе замеряется э.д.с. термоэлектрического устройства, по отношению которой определяется его добротность.
Отсутствие необходимости заделки термопар в спаи термобатарей увеличивает надежность, а определение добротности по э.д.с. — точность эксперимента.
Предмет изобретения
Способ измерения добротности полупроводникового материала термоэлектрического уст10 ройства прп постоянном тепловом потоке Il) тем измерения параметра, характеризующего
Z в режиме холостого хода и короткого замыкания, отличающийся тем, что, с целью увели чения точности измерения, в качестве парамет15 ра, характеризующего Z, выбрано отношение э.д.с. в указанных режимах.
