Контактное устройство

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21 я, 1 1/02

Заявлено 24.XI.1966 (№ 1114045/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

МПЕ Н Oli

Комитет по делам изобретений н открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.382.002.54 (088.8) Опубликовано 12.III.1968. Бюллетень № 10

Лата опубликования оп <сания 22.V.1968

Авторы изобретения

В. В. Сыроватченко и Д. А. Гончаров

Заявитель

КОНТАКТНОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности и может быть использовано для проведения испытаний и контроля бескорпусных транзисторов и подобных им приборов.

Перед проведением испытаний транзистора необходимо было подпаивать проводники к выводам транзистора.

После проведения испытания приборов к дальнейшему применению не пригоден.

Лля проведения испытаний бескорпусного транзистора без подпайки проводников к выводам транзистора предлагается контактно" устройство, состоящее из корпуса с запрессованными в нем штырями с контактными лепестками и расположенного внутри корпуса ползунка, имеющего возмо>кность возвратнопоступательного перемещения в горизонтальной плоскости по направляющей. Последняя вращается вокруг вертикальной оси и возвратно-поступательно перемещается в вертикальной плоскости под действием пружины, один конец которой взаимодействует с направляющей, а другой со стержнем кнопки.

На фиг. 1 изображено контактное устройство в двух проекциях; на фиг. 2 вЂ” то же, разрез по А вЂ” А на фиг. 1; на фиг. 3 вЂ” то же, разрез по Б вЂ” Б на фиг. 1.

Контактное устройство состоит из корпуса

1, в котором запрессованы штыри 2 с подпаянными к ним контактными лепестками 8, необходимые для контактирования с выводами транзистора. В корпусе под контактными лепестками расположен ползун 4, в котором

5 имеется гнездо для базировки транзистора.

Ползуn может перемещаться в горизонтальной плоскости в направляющей 5, что позволит удобно произвести зарядку транзистора в контактное устройство. Направляющая мо10 >кет перемещаться вертикально под действием пружины 6, один конец которой взаимодействует с направляющей 5, а другой вЂ” со стержнем кнопки 7 п вращается вокруг своей оси, что позволяет ориентировать выводы

15 транзистора относительно контактных лепестков., . -т

Лля установки транзистора в контактное устройство необходимо нажать кнопку 7 и повернуть ее на 90, выдвинуть ползун 4 так, 20 чтобы гнездо в ползуне было наруже. Затем пинцетом вставить в гнездо измеряемый транзистор и контактное устройство поставить под микроскоп или линзу. Под микроскопом ползун 4 вместе с транзистором продвигается по

25 направляющей 5 под контактные лепестки > и выводы транзистора совмещаются с контактными лепестками вследствие вращения и перемещения ползуна 4. После этого необходимо кнопку 7 повернуть в исходное положе30 ние и отпустить. В результате этого под дей2!3l96

Пред»cr изобретения

4 д

Ф /е, 3 б

Составитель В. В. Шведова

Редактор Н. А. Джарагетти Техред P. М. Новикова Корректоры: В. В. Крылова и С. А. Ьашлыкова

Заказ 1036/10 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 станем пружины б направляющая б с ползуном 4 прижмется к крышке 8, à транзистор своими выводами вЂ” к контактны» лепесткам 8.

Усилие прижима транзистора с ползуном 4 осуществляется за счет дсфор»ацпи контакгных лепестков 8, которые обеспечивают надежное крепление транзистора и не оставляют остаточной деформации на выводах транзистора.

После контактирования транзистора с контактными лепестками устройство вставляется штырями в гнезда измерительного прибора и производится замер одного из параметров транзистора. Так, не снимая с контактного устройства, последовательно на всех приборах проверяют транзистор.

Контактное устройство для контроля бескорпусных транзисторов, содержащее корпус

5 с контактными лепестками, отличающееся тем, что, с целью осуществления надежного контакта между бескорпусным транзистором н и".ìîðèòåëüíûì прибором, внутри корпуса расположен ползун, име1ощий возможность

10 возвратно-поступательного перемещения в горизонтяльнон плоскости по направляющей, которая может вращаться вокруг своей оси и перемещаться В Вертикальной плоскости под действием прудкины, один конец которой

15 связан с направляющей, а другой вЂ” со стержнем кнопки.

Способ измерения термоэлектрических параметров полупроводниковых материалов // 196143

Патент 187859 // 187859

Способ определения термоэлектрической эффективности полупроводников // 186538

Индикатор для определения глубины дрейфа лития в кремниевых^? — г — п-детекторах ядерных излучений // 184980

Ударно-вибрационный стенд // 179387

Способ измерения дрейфа обратного тока р—п-переходов // 174277

Способ стробоскопического наблюдения // 172406

Измеритель физических свойств материалов на сеч // 166763

Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов // 164068

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349