Устройство для измерения свойств полупроводниковых слоев

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

ОПИСА, ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства J¹

Кл. 21, 11/02

Заявлено 16.I I I.196? (№ 1141633/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 18.III.1969. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 11ЛтI I I.1969 iiHIy Н 0ll

УДК 621.382.002

Комитет оо делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

1О. К. Григулис, 3. 3. Аболтинь и Ю. Я. Берзииь

Физико-энергетический институт АН Латвийской ССР

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СВОЙСТВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ

Изобретение относится к измерительным ус1ройствам, предназначенным для измерения удельного сопротивления и толщины полупроводниковых слоев бесконтактным способом, не разрушая образцов, и может быть использовано на,предприятиях полупроводниковой промышленност.и.

Известны СВЧ-устройства для контроля удельного сопротивления и диэлектрической проницаемости однородных полупроводниковых материалов, при помощи которых,,помещая образцы в волновод и определив .параметры стоячей волны (фазу и модуль коэффициента отражения) в волноводе, рассчитывают сооттветствуюц1не свойства образца.

Указанные устройства обеспечивают бесконтактность измерений, IO предназначены для измерения свойств только однородных полупроводниковых материалов, причем форма образца должна быть строго определенной.

Цель изобретения вЂ” измерение удельного "опротивления и толщины полупроводникового слоя бесконтактным способом, не разрушая образцов, при одностороннем доступе:к поверхности их, независимо от их формы.

Это достигается тем, ITQ образец накладывается на конец волноводного тракта, имеющий вид щели с предварительным плавным переходом; при помощи специальной конструкции измерительного блока фиксируются параметры стоятей волны в волноводе (напрнмер, фаза в градусах и модуль коэффициента стоячей волны) и с помощью тарировочного графика, построенного по эталонным образцам кли по аналитическим зависимостям, определяются удельное сопротивление и толщина Ilo".óïðîâoäHJIêîâîão слоя.

11а фиг, 1 показана блок-схема устройства; ка фпг. 2 вЂ” кинематическая схебта измеритель10 кого блока.

О1 генератора сигналов 1 СВЧ-:волна через аттен1оатор 2 и щелевой излучатель 8 падает а образец 4. Параметры стоячей волны в волководном тракте фиксируются прн помощи

15 зонда 5. детектора 6, индикатора-микроампср :i.òðà 7 н передаточного механизма 8, связанного с,подвижной шкалой 9.

Фаза коэффициента отображения в градусах фиксируется подвижной шкалой 9, модуль ко20 эффнцнента отражения вЂ” индикатором и откладывается на подвижной шкале. Под подвижной шкалой помещаются тарировочные графики, по которым определяются соответствующие овойства.

25 Перемещение зонда 5 с дете егором 6 вдоль вслнозодной лнг1нц передается с помощью персдачн точкого механизма 8 подвижной шкале 9, Кулачок рассчитан таким образом, что перемещение зонда вдоль линии передается

30 нодвиксной шкале 9 и фаза, коэффициента от239449

Предмет изобретения яьиа, t

Составитель Б. Пирожников

P(дактор М. В. Афанасьева Техред Л. Я. Левина Корректор А. А. Березуева

:3 а к а 680/8 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москга, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 ражения соответствует, градусной мере неподвижной ш "8„111 10.

Таким образом, процесс измерения заключается в следующем: на конец волноводной линии, имеюгцей вид щелевого излучателя, на кладывается исследуемый образец; при помощи специальной конструиции,измерительного блока находятся параметры стоячей,волны в волноводе (фаза в градусах и модуль коэффициента отражения), которые фиксируются прп помощи подвижной шкалы; по тарировочным графикам, предварительно составленным по эталонным образцам или рассчитанным по аналитическим зависимостям, которые помещаются под подвижной шкалой, находятся удельнос сопротивление и толщича полупроВОДНИКО ВЫХ СЛОЕВ.

Данное СВЧ-устройство для измерения

СВОйетВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ ПОЗВОЛИТ проводить 100% контроль удельного сопротивления и толщины полупроводниковых, слоев.

Устройство для измерения свойств полупроВодниковых слоев, состоящее из СВЧ-генератора и измерительного блока, отличающееся

10 тем, что, с целью измерения двух характеристик образца (удельното сопроти зления и толщины полупроводникового слоя) без разрушения образца, измерительный блок состоит из волно водной измерительной линии в виде чет15 верти круга, ссединенной посредством кулачкового механизма с подвижной шкалой, проградуи ро ванной в единицах модуля коэффициента отражения.

Похожие патенты:

Контактное устройство // 213196

Устройство для измерения эффективного // 203789

Способ измерения термоэлектрических параметров полупроводниковых материалов // 196143

Патент 187859 // 187859

Способ определения термоэлектрической эффективности полупроводников // 186538

Индикатор для определения глубины дрейфа лития в кремниевых^? — г — п-детекторах ядерных излучений // 184980

Ударно-вибрационный стенд // 179387

Способ измерения дрейфа обратного тока р—п-переходов // 174277

Способ стробоскопического наблюдения // 172406

Измеритель физических свойств материалов на сеч // 166763

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349