Устройство для изготовления ферритовых пленочных элементов памяти

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

О П И С А Н И Е 237288

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависи Ine от авт, свидетельства Хе

Заявлено 29.III.1968 (№ 1228755. 18-24) Кл. 21, 31/02

2131, 37 04 с присоединением заявки Л

Приоритет

Опубликовано 12.II.1969. Б10ллстснь ¹ 8

Комитет по лелем

МПК Н Old

li 031<

X Д1х 681.327.66 (088.8) чзабретений и открытиЯ при Совете Министров

СССР

Дата опубликования описания 10.Л1.1969

Авторы изобрстсш1я

Б. E. Клейман и Я. M. Беккер

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФЕРРИТОВЫХ

ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ

Изобретение относится к области запоминающих устройств и может найти применение для получения ферритовых пленочных элементов памяти, используемых в 3ап0м11нающих устройствах ЗВМ.

Известно устройство для изготовления ферритовых пленочных элементов памяти с помощью дугового разряда в вакууме. Оно содср>кит катод из исходного материала-феррита, закрепленный в керамическом держателе, и молибденовый стержень, служащий анодом.

Для создания дуги молибденовый электрод приводится в соприкосновение с катодом, напылясмым ферритом, а затем отодвигается113 несколько сантиметров от поверхности ферр"та. Источник постоянного тока для дугового разряда должен обладать стабильностью ие хуже 0,1%.

Цель изобретения вЂ” повышение скорости испарения и получение пленок с улучшенными магнитными свойствами и однородноCT6I0.

Описываемое устройство отличается тем, что содержит систему нагревателей для предварительного нагрева феррита и последующего его испарения токами высокой частоты, а также для нагрева подложки, что обеспечивает равномерность осаждения, эпитаксиаlьный рост и снятие механических напряжений.

Нагреватель подло>кки является ее же держателсм и может перемещаться 110 направлгцощим штангам в область индуктора.

На чертеже изобра>кена конструкш1я стра йства.

5 Устройство содержит электрический нагреватель (печь) 1 для прсдварительисго нагрева феррита, исходную фсрритову10 пластину >, высокочастотныи иидукгор >, подложку

4 для осаждения пленки, нагреватель 5 под10 ложки (псчь), вакуумный колпак (i и основаИ 1С 7.

На электрический нагреватель 1, например, плоской формы помещена исходная фсрритова я и, 1 асти на . В электрическом и а Гpcl>BTe, le ,> выполнен паз, в котором помещена подложка 1, например, из монокристаллического

IkgO. Нагреватель 3 закреплс:1 на штангах 8 на требуемом расстоянии от пластины >.

Штз 1 ги 8, выполненные из токопроводя1цего

20 матер.1а 13, одновременно выполняют функции подвода тока к нагревателю 5. Высокочастотный индуктор 3 имеет ци1IIII3pllчсскуlo форму. Пластина 2 помещена внутри индуктора 3.

2i Вс» cèñòñìà нагревателей вместе с исходН011 1I.з3стиноЙ 2 ll IIQ+ло>ккоЙ .1 поме1цсиа под вакуумный колпак 6, а через основание 7 пропущены выводы нагревателей, с1срсз отверстие в основании производится отсос воз30 духа.

237288

Предмет изобретения

11г г8/насосу

Составитель А. Соколов

Редактор Е. В. Семанова Техрсд Л. Я. Левина Корректоры: М. Коробова и А. Абрамова

Заказ 1323117 Тира к 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете МинисIJ)QB СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типографии, ир. Сапунова, 2

Устройство работает следующим образом.

Ферритовая пластина 2 нагревается нагревателем 1 до 300 вЂ 4 С, а затем подвергается нагреву токами высокой частоты до

1000 С при разрежении под колпаком 0,5тор.

Подложки из монокристаллического М О нагреваются до =400 С. При этом были получены пленки толщиной = 50 икл в течение

1,8 вЂ” 2 мин.

Характеристики пленок (коэрцитивная сила

Н, =2э, остаточная индукция В„ - 1300 гс, прямоугольность К,р=0,9) обеспечивают создание миниатюрных элементов памяти.

Устройство для изготовления ферритовых пленочных элементов памяти, содержащее

5 вакуумный колпак с основанием, держатель и подложку для осаждения пленки, отличаюи1еесл тем, что, с целью повышения скорости испарения и получения пленок с улучшенными магнитными свойствами и однородностью, 10 оно содержит систему нагревателей, состоящую из печи для предварительного нагрева феррита, высокочастотного индуктора для испарения феррита токами высокой частоты и печи для нагрева подложки.

Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных пленках // 231224

Пленочная магнитная матрица // 221766

Способ контроля однородности цилиндрических тонких феррол\агнитных пленок // 220314

Запоминающая ячейка // 219634

Запоминающее устройство // 219629

Запоминающее устройство // 219628

Запоминающее устройство // 211883

Оперативное запоминающее устройство // 209074

Устройство для укладки обмоток возбуждения матриц накопителей // 205380

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)