Двухдырочный элемент памяти из ферритовогоматериала

О П И С А Н И Е 238596

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 04. т !.1963 (№ 840155/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликов,»o 10.111.1969. Ьюллстснь ¹ 10

Кл. 21ат, 36/16.ЧПК Н 031<

УДК 681.142(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Дата опубликования описания 14Л 11.1969

Авторы изобретения

Е. И. Ильяшенко, В. Ф. Рудаков и Б. С. Бекин

Заявитель

ДВУХДЫРОЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ИЗ ФЕРРИТОВОГО

МАТЕР И АЛ А

Известны ферритовые элементы памяти с неразрушающим чтением записанной информации (трансфлюксор, тороидальное кольцо с диаметральными отверстиями, биакс и др.) .

Предлагаемый элемент памяти из ферритового материала отличается от известных тем, что он выполнен в виде двух тороидов, расположенных в одной плоскости и имеющих общую перемычку, причем площадь поперечного сечения магнитопровода первого тороида равна площади поперечного сечения общей перемычки, а площадь поперечного сечения магнитопровода второго тороида равна или меньше площади поперечного сечения общей перемычки. Это помогает осуществлять неразрушающий опрос хранимой информации.

Для получения зависимости величины выходного сигнала от направления тока опроса обмотка неразрушающего опроса проходит «ерез отверстие второго тороида, а обмотки записи разрушающего считывания и съема выходного сигнала пропущены через отверстие первого тороида. Обмотка допорогового смещения также пропущена через отверстие первого тороида, что позволяет увеличить амплитуду выходного сигнала и улучшить отношение сигнал — помеха при неразрушающем опросе.

Предлагаемый элемент памяти изображен на чертеже, Он состоит из двух тороидов 1 и 2, имеющих общую перемычку 8, площади попере«ных сечений которых обозначены соответственно Si, S», S3. Запись информации в элемент осуществляется любым из известных сНособов, как в обычное кольцо, изготовленное и;-, феррита и имеющее размеры тороида 1.

Обмотка запис 1 — 5 проходит через отверстие тороида 1, а обмотка опроса б — 7 прони10 зывает стверстие тороида 2. Считываемый выходной сигнал снимается с обмотки 8 — 9 съема выходного сигнала, которая прошивается через отверстие тороида 1.

Пусть в элементе записана «единица», т

15 остаточный магнитный поток после окончания тока записи, подаваемого по обмотке 4 — 5 по направлению стрелки 10, имеет направление в тороиде 1, указанное стрелкой 11. При пода«с тока опроса по обмотке б — 7 в направлении

20 стрелки 12 возникает поток, который в тороиде 2 награвлен по стрелке 18. Этот поток частично:-амыкается вокруг отверстия тороид l

2, а частично ослабляет поток в тороиде 1, направленный по стрелке 11. Ослабление по25 тока в тороиде 1 происходит вследствие того, что динамическая магнитная проницаемос h этого тороида (исключая общую перемычку) имеет большую величину для поля, созданного током опроса, Уменьшение потока приводит

ЗО к индуцированию большого выходного сшна238596

Типография, пр. Сапунова, 2 ла в обмотке 8 — 9. Если ампер-витки опроса не превышают определенной величины, то по окончании импульса тока опроса поток в тороиде 1 восстанавливается до значения, близкого к первоначальному, за счет обратимых процессов изменения намагниченности. При последуюгцих опросах устанавливается такой режим, когда дальнейшего уменьшения потока в тороиде 1 не происходит.

Важной особенностью предлагаемого элемента памяти является то, что при значительном увеличении ампер-витков опроса невозможно изменить направление остаточного гoтока записи, так как насыщение тороида 2 происходит раньше, чем изменение направления потока в тороиде 1. Пусть теперь в элементе записан «нуль», т. е. остаточный поток записи направлен противоположно стрелке 11:

При подаче тока опроса по обмотке б — 7 в прежнем направлении по стрелке 12 возникающий поток опроса в тороиде 2 не может ослабить поток в тороиде 1 (исключая общую перемычку), так как динамическая магнитная проницаемость этого тороида имеет малую величину для поля, созданного током опроса (в случае материала с ППГ динамическая магнитная проницаемость рд = 0). При этом в выходной обмотке 8 — 9 наводится малый сигнал (помеха). Если теперь изменить направление тока опроса в обмотке б — 7, то в случае записи «единицы» в выходной обмотке

8 — 9 наводится малый сигнал (помеха), а в случае «нуля» — большой.

Таким образом, величина выходного сигнала зависит от направления приложенного опросного поля, что делает возможным использование элемента для осуществления логической операции несоответствия («ИЛИ» с исключением) ABVAB, где А соответствует хранимой информации,  — опросной. Однако при изменении направления тока опроса (при неразрушающем чтении) амплитуда первого малого сигнала (помехи) значительно больше ее установившегося значения. Вследсгвие этого для увеличения отношения сигнал — помеха при выполнении логической операции несоответствия необходимо использовать два и описанных элемента памяти на один двоичный разряд.

Значительное повышение величины выходного сигнала и увеличения отношения сигнал — помеха получается при пропускании по обмотке 14 15 тока допорогового смещения, создающего в тороиде 1 поле того же направления, что и ток записи, пропускаемый по обмотке 4 — 5.

10 Предлагаемый элемент памяти может быть применен в адресном оперативном запоминающем устройстве с HeðàçðóøàþùHì считыванием информации, в запоминающем устройстве с внутренней распределенной логикой (на15 пр11мер, ассоцпат11вном), B долгoBpcilIPHH031 запоминающем устройстве с большой скоростью извлечения записанной информации.

Предмет изобретения

1. Двухдырочный элемент памяти из ферритового материала, снабженный обмотками съема выходного сигнала, неразрушающего опроса, записи и разрушающего считывания, отличаюи1ийся тем, что, с целью осуществл25 ния неразрушающего опроса хранимой информации, он выполнен в виде двух тороидов, расположенных в одной плоскости и имеющих общую перемычку, причем площади поперечного сечения магнитопровода первого тороида

30 и общей перемычки равны, а площадь поперечного сечения магнитопровода второго тороида равна или меньше площади поперечного сечения общей перемычки.

2. Элемент памяти IIo п. 1, отличаюи1ийся

35 тем, что, с целью получения зависимости величины выходного сигнала от направления тока опроса, обмотки записи разрушающего считывания и съема выходного сигнала пропущены через отверстие первого тороида, а

40 обмотка неразрушающего опроса — через отверстие второго тороида.

3. Элемент памяти по пп. 1 и 2, отличаюи1ийся тем, что, с целью увеличения амплитуды выходного сигнала и улучшения отношения

45 сигнал — помеха при неразрушающем опросе, обмотка допорогового смещения пропущена ерез отверстие первого тороида.

14

Редактор Б. li. Федотов

Тсхрсд Т. П. Курилко

Корректоры: А. Абрамова и E. Ласточкина

:Заказ 1599 5 1 ираки !80 Подписное

Ц11ИИГ1И Комитета ио делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4