Матрица памяти

 

ОГ1ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

248776

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 15.1 V.1968 (№ 1232925/18-24) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 18.Vll.1969. Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 26.II.1970

Кл. 21ат, 37/60

Комитет по делан изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК G 11с

УДК 681.327.66(088.8) Автор изобретения

И. В. Берг

Заявитель

МАТРИЦА ПАМЯТИ

Изобретение относится к магнитным запом инающим устройствам.

Известны матрицы памяти на многоотверстных ферритовых пластинах.

Однако быстродействие, надежность и плотность упаковки ia таких матрицах ограничены, что обусловлено взаимным магнитным влиянием расположенных рядом ячеек памяти (при увеличении токов одного отверстия происходит нежелательное воздействие на слой, окружающий соседние отверстия).

Цель изобретения — увеличение плотности ячеек и уменьшение разброса параметров, О писываемая матрица, памяти отличается тем, что она выполнена в виде двух ферритовых пластин, разделенных изоляционной подложкой, причем ячейки памяти отделены одна ст другой бороздками, проходящими вдоль и поперек пластины и доходящими до изоляционной подложки.

На чертеже представлена конструкция предлагаемой матрицы.

К изоляционной подложке 1,приклеены ферритовые,пластины 2. В пластинах ультразвуком просверлены отверстия 8. Пластины разделены бороздками 4, доходящими до подложки, доведены шлифованием до требуемой толщины и на и их нанесена печатная обмотка 5.

Взаимодействие ячеек устраняется разделением ферритовой пластины бороздками, а разброс — дублированием ячеек. Ячейка памяти в данном случае представлена четырьмя отверстиями — по два с каждой стороны изоляцион ной пластины. При проверке в случае необ1О ходимости можно вырезать ячейку с плохими электрическими параметрами и заменить ее новой.

15 Предмет изобретения

Матрица памяти на магнитных элементах, отличающаяся тем, что, с целью увеличения плотности ячеек и уменьшения разброса пара20 метров, она выполнена в виде двух ферритовых пластин, разделенных изоляционной подложкой,,причем ячейки памяти отделены одна от другой бороздками, проходящими вдоль и поперек пластины и доходящими до изоляпи25 онной подложки.

248776

Составитель А. А. Соколов

Техред Л. Я. Левина Корректор В. И. Жолудева

Редактор Б, Нанкина

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 25/7 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва K-35, Раушская наб., д. 4/5

Матрица памяти Матрица памяти 

 

Похожие патенты:

 // 266850
Наверх